最近在看GJB/Z35－93元器件降额准则时，附录A中：
A1：晶体管的失效率模型
晶体管基本失效率λb模型
式中：A——失效率换算系数；
e——自然对数底，2.718；
Nt,P——器件中的形状参数；
Tjm——最高允许结温（0功率点），℃；
T——工作温度（环境或壳温），℃；
△T——Tjm与额定功率点最高允许温度之差，℃；
S——应力比或降额因子。
1.现在不知道晶体管的基本失效率λb这个公式是怎么来的？查了好多的资料也找不到。
2.上面只列出了晶体管的基本失效率模型，那么如光电器件，电容器也应该有相应的失效模型，现在不知道这些模型是怎样的？在查阅
GJB/299C－2006电子设备可靠性预计手册,也不能找到类似晶体管的基本失效率λb模型。
现希望有高人能够解答一下，不胜感激!
同意樓上的實測的數據和理論推出的模型還是不一樣的
一点点认识，欢迎拍砖~
一般这种公式多是由一些公立机构如军方，协会实测的数据，像G299，MIL-STD217等为什么一直被诟病，也主要是由于这些机构实测的数据把它处理为模型，但是由于实际使用中的各种因素（2者的使用环境相差较大等原因），误差往往很大。如果你有兴趣可以去查查半导体的失效机理，那里会有一些专门的模型解说如TDDB等，会帮助你理解这些。
这些公式只要使用就行了，推导的公式应该是有，刚找了一会，没找到。
[i=s]本帖最后由Jelley于2011-1-1909:13编辑[/i]
[b]回复[url=pid=86655&ptid=10502]1#[/url][i]xiangbao03[/i][/b]
我们顾问应该知道，但我只知道晶体管绝大多数是因为开路，短路和参数漂移。开路，短路通常是由于结温过高和电压击穿失效，参数漂移（时间参数）主要是由于衬底的缺陷引起的不稳定的功能和无法检测的表面缺陷造成。
晶体管首先要满足稳态结温降额，其实电阻，电容，晶振，光电器件，保险管，电源等等都有它的失效模式和失效机理的。