MTBF计算问题:Flash在relex的分类

学习了

[quote]maomao发表于2012-8-1509:21[url=pid=108778&ptid=12858][/url]
我们以前是使用温度检测仪对关键器件（譬如电源模块、IC及功率管等发热器件）进行壳温测试（一般可以测试…[/quote]

谢谢

[quote]流浪七月发表于2012-8-2322:30[url=pid=109258&ptid=12858][/url]
我公司用的也是relex2009版，不过跟你的界面貌似不太一样，flash我是放到ROM分里面了，我用的标准是SR33…[/quote]

relex有分类那个总结的给你一个总结吧

我一般选的eaprom

现在我直接在集成电路后边选eeprom

flash的datasheet都是eeprom啊

电可擦可编程序只读存储器

[quote]Spark_Ding2012发表于2012-8-2316:24[url=pid=109250&ptid=12858][/url]
嘿嘿，我也是用Relex进行可靠度预计，但是我是刚入门的菜鸟啊，希望在这里能大家多学习啊。
说点自己的心得…[/quote]

好的，我试试啊。

[quote]tmjgytgsw发表于2012-8-2313:42[url=pid=109232&ptid=12858][/url]
你选用的是什么标准，我对Relex比较熟悉[/quote]

SR332

[quote]maomao发表于2012-8-2313:30[url=pid=109231&ptid=12858][/url]
不用谢，互相学习！！！[/quote]

:handshake还是感谢

我公司用的也是relex2009版，不过跟你的界面貌似不太一样，flash我是放到ROM分里面了，我用的标准是SR332issue2，你貌似用的是国标？强烈建议开个relex讨论贴，分享下各位在零件分类上的经验.

嘿嘿，我也是用Relex进行可靠度预计，但是我是刚入门的菜鸟啊，希望在这里能大家多学习啊。
说点自己的心得，做可靠度预计很重要的是要把元件各种信息填写正确，要不然影响真的很大的，一般在datasheet里面可以找到的，找不到的话Relexlibrary里面试试看。

你选用的是什么标准，我对Relex比较熟悉

不用谢，互相学习！！！

[quote]maomao发表于2012-8-1509:55[url=pid=108782&ptid=12858][/url]
CMOS集成电路介绍
　　自1958年美国德克萨斯仪器公司（TI）发明集成电路（IC）后，随着硅平面技术的发展，…[/quote]

谢谢你的资料。我会认真的看看。

[quote]maomao发表于2012-8-1509:21[url=pid=108778&ptid=12858][/url]
我们以前是使用温度检测仪对关键器件（譬如电源模块、IC及功率管等发热器件）进行壳温测试（一般可以测试…[/quote]

使用relex软件做的预计也木有人指导我

我就是写了各flash的种类温升制成类型内存大小

就40C的时候1GBflash失效率超级高无语。

[quote]justinbk发表于2012-8-1422:39[url=pid=108750&ptid=12858][/url]
不论是NAND还是NORflash都是属于更负责一种的CMOS器件。[/quote]

谢谢了。可惜选择CMOS的时候失效率超级大。怎么办

CMOS集成电路介绍
　　自1958年美国德克萨斯仪器公司（TI）发明集成电路（IC）后，随着硅平面技术的发展，二十世纪六十年代先后发明了双极型和MOS型两种重要的集成电路，它标志着由电子管和晶体管制造电子整机的时代发生了量和质的飞跃。　　
MOS是：金属-氧化物-半导体（Metal-Oxide-Semiconductor）结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC（ComplementaryMOSIntegratedCircuit）。　　
目前数字集成电路按导电类型可分为双极型集成电路（主要为TTL）和单极型集成电路（CMOS、NMOS、PMOS等）。CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。CMOS发展比TTL晚，但是以其较高的优越性在很多场合逐渐取代了TTL。　　以下比较两者性能，大家就知道其原因了。　
　1.CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成　　
2.CMOS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作　　
3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差　　
4.CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）　　
5.CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。　　
集成电路中详细信息：　　
1,TTL电平：输出高电平>2.4V，输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。　　 2，CMOS电平：1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。　　 3，电平转换电路：因为TTL和CMOS的高低电平的值不一样（ttl5v<==>cmos3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。　　
4，驱动门电路OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外接上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。　　
5，TTL和CMOS电路比较：
1）TTL电路是电流控制器件，而CMOS电路是电压控制器件。　　
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短（5-10ns），但是功耗大。CMOS电路的速度慢，传输延迟时间长（25-50ns），但功耗低。CMOS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
3）CMOS电路的锁定效应（擎柱效应）：CMOS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，CMOS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。防御措施：　　1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。3）在VDD和外电源之间加限流电阻，即使有大的电流也不让它进去。4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启CMOS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭CMOS电路的电源。
6，CMOS电路的使用注意事项
1）CMOS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。
2）输入端接低内阻的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在1mA之内。
3）当接长信号传输线时，在CMOS电路端接匹配电阻。
4）当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。
5）CMOS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏CMOS。
7，TTL门电路中输入端负载特性（输入端带电阻特殊情况的处理）：
1）悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。
2）在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知，只有在输入端接的串联电阻小于910欧时，它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来，串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。CMOS门电路就不用考虑这些了。
8，TTL和CMOS电路的输出处理：TTL电路有集电极开路OC门，MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门，它的输出就叫做开漏输出。OC门在截止时有漏电流输出，那就是漏电流，为什么有漏电流呢？那是因为当三极管截止的时候，它的基极电流约等于0，但是并不是真正的为0，经过三极管的集电极的电流也就不是真正的0，而是约0。而这个就是漏电流。开漏输出：OC门的输出就是开漏输出；OD门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流，但是不能向外输出的电流。所以，为了能输入和输出电流，它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。OD门一般作为输出缓冲/驱动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。

这是我上网摘的内容：　
CMOS，全称ComplementaryMetalOxideSemiconductor，即互补金属氧化物半导体，是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料。采用CMOS技术可以将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）集成在一块硅片上。该技术通常用于生产RAM和交换应用系统，在计算机领域里通常指保存计算机基本启动信息（如日期、时间、启动设置等）的ROM芯片。　
　CMOS由PMOS管和NMOS管共同构成，它的特点是低功耗。由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间要么PMOS导通、要么NMOS导通、要么都截至，比线性的三极管（BJT）效率要高得多，因此功耗很低。

[quote]lichangzheng发表于2012-8-1420:57[url=pid=108745&ptid=12858][/url]
你好，我看到你有进行预计，那我现在想问一下有关预计的问题，你上面说功耗为2W（根据产品实际使用计算）…[/quote]

我们以前是使用温度检测仪对关键器件（譬如电源模块、IC及功率管等发热器件）进行壳温测试（一般可以测试20个测试点左右），现在有红外热像仪，可以对板级各个点进行测试及分析，我觉得非常好用！
对已功率，这个一般要问设计师，他们在设计电路的时候会考虑到使用的电压与电流，电压与电流的乘积就是功率了！至于电路分析的方法，希望知道的朋友分享下！！

所以可靠性预计是一个比较大的工作，如果是真实数据。估计所花的时间不短！

[quote]gdfrg发表于2012-8-1417:21[url=pid=108736&ptid=12858][/url]
多谢了。降额方面我们是有考虑的，热设计方面应该还是可以的，主要的问题是想知道在软件选型的问题。

…[/quote]

不论是NAND还是NORflash都是属于更负责一种的CMOS器件。

[quote]maomao发表于2012-8-1409:07[url=pid=108708&ptid=12858][/url]
储存器是存储大量二进制信息的半导体，是数字电路，按照《GJB/Z35元器件降额准则》要求，结温降额设计三级…[/quote]

你好，我看到你有进行预计，那我现在想问一下有关预计的问题，你上面说功耗为2W（根据产品实际使用计算），如何进行实际的测量的啊？有没有一个指导规范操作呢？我目前在做一个具有1400多个元器件的电路板的预计，在测量这块难倒了，目前我采用的方法是电路仿真模拟测量，但是感觉过于理想化。所以想请教一下有关实际测量的指导规范。

[quote]fuxiao0508发表于2012-8-1414:57[url=pid=108724&ptid=12858][/url]
哪个版本的Relex呀，界面不一样呢，呵呵[/quote]

这个是比较老的版本了。relex2009

[quote]maomao发表于2012-8-1415:00[url=pid=108725&ptid=12858][/url]
使用什么软件都没有什么问题的，主要的是标准及方法！
我用的是五所开发的可靠性预计软件CARMES5.0,其他的…[/quote]

多谢了。降额方面我们是有考虑的，热设计方面应该还是可以的，主要的问题是想知道在软件选型的问题。

flash是nmos还是cmos啊？这个貌似很关键。

使用什么软件都没有什么问题的，主要的是标准及方法！
我用的是五所开发的可靠性预计软件CARMES5.0,其他的我没有用过！

上面的说法有没有对你有帮助？

哪个版本的Relex呀，界面不一样呢，呵呵

你使用的是美国的RELEX软件，我是用的五所的CARMES软件，我看了你们软件里面没有器件的类型那里没有FLASH这个类型。
按照GJB299C。FLASH可以和EEPROM归在一类。因为他们都是可编程，可擦除（我查看了你们这个器件的资料：有100，000program/EraseCycles说明这个器件也是可编程可擦除的！）

你发的这张图里面不单单要写类型，质量等级，温升，还有DeratingParameters这个参数，这里就是降额设计参数，里面关键的也是温度的降额。所以你在做这个器件的降额设计的使用，要考虑好选用的问题！！！

你发现是效率高，说明这个器件的选用存在问题。是否应该选择质量等级高的器件？？是否更改电路设计（散热）？等等！！！

这也是开展可靠性预计的关键所以，不单单可以算出MTBF，也可以发现生产出现的问题，在研发阶段加以改进！提高产品质量与可靠性！

[quote]maomao发表于2012-8-1409:07[url=pid=108708&ptid=12858][/url]
储存器是存储大量二进制信息的半导体，是数字电路，按照《GJB/Z35元器件降额准则》要求，结温降额设计三级…[/quote]

我们公司使用的是relex软件

关注的只有flash存储大小和flash的温升

其他参数已经设置好的质量等级也设置为leveltwo

如上图就是选择类型应该选哪个

[i=s]本帖最后由maomao于2012-8-1409:08编辑[/i]

储存器是存储大量二进制信息的半导体，是数字电路，按照《GJB/Z35元器件降额准则》要求，结温降额设计三级要求为115度，我们一般按照二级要求为100度。其中结温的计算公式有：
结温=壳温+热阻*功耗
按照你们器件的使用，室温下温度为65，估计器件的壳温可达80（可用温度检测仪测量器件的壳体温度），如果热阻为４０度（查器件资料），功耗为2W（根据产品实际使用计算）。那么器件的结温为：
结温=80+40*2=160度。
　　远远超多了降额设计要求，这样的元器件在长期间的试使用下，肯定失效，所以失效率高是肯定的！
一般选择FLASH时，必须考虑好FLASH的功耗，温升及壳体温度，针对这几个指标来选用。当无法选用时，必须考虑好产品的环境温度（散热），所以热设计对产品的影响也比较大。当都无法考虑时，是否应该考虑器件的质量等级，采用军筛或者军品以上的！
以上仅供参考，希望对您有作用！！！

[quote]maomao发表于2012-8-1310:42[url=pid=108641&ptid=12858][/url]
IC失效主要因素还是温度，所以降额设计比较关键，温度也是造成是失效率增大的主要原因！[/quote]

flash如何降额啊。。。这个都是设定好工作电压的吧。

温度方面温升40室温下才65摄氏度失效率超级高。不知道如何选relex里的类型

[quote]admin发表于2012-8-1118:00[url=pid=108602&ptid=12858][/url]
就是不同的Flash存储器类型选择了。看看datasheet就发了。[/quote]

我们公司用的都是一类型的flash
例如：NANDFlash,1Gbits,2.7~3.6V,TSOP48,43nm,TC58NVG0S3ETA00,TOSHIBA

memory选项里只有DRAM、EAPROM、ROM、UVEPROM、SRAM、PROM,EPROM

就这几种不知道选哪个失效率都太高了。

IC失效主要因素还是温度，所以降额设计比较关键，温度也是造成是失效率增大的主要原因！

就是不同的Flash存储器类型选择。看看datasheet就可以了。