求助：大家有没有光电耦合器失效模式及失效机理共享？

5 故障模式和机理
1) 导光胶或反射胶工艺控制不佳导致胶开裂、起皮；
2) 光耦内部材料间热膨胀系数不匹配，内部电连接开路；
3) 内部沾污产生腐蚀；
4) 光电转换效率衰减
6 主要参数意义
Parameter参数 参数
输入侧 VF 正向电压
IF 正向电流
VR 反向电压
IR 反向电流
Ct 终端电容
PD 功耗
传输特点 CTR 电流传输比
VCE(sat) 集电极发射极饱和电压
RI-O 隔离电阻
BV 隔离电压
Cf 浮动电容
fc 截止频率
响应时间 tr 上升时间
tf 下降时间
温度范围 Topr 操作温度
Tstg 存储温度
Tsol 焊接温度

7 测试方法

8 测量仪器
半导体特征分析仪、电路特征分析仪或AgilentB1500A半导体器件分析仪。
9 试验项目选择
9.1 温度冲击试验
9.1.2 测试目的：
本试验是用来确定产品在温度冲击应力条件下性能特性的变化状况。
9.1.2 测试条件：
将试验样品置于温度冲击箱内，试验条件:-55℃(30min)～125℃(30min),100个循环；每20个循环（当能比较出不同厂商产品可靠性差异时可停止试验）时测量并记录相应性能参数，如表1。
表1
样品编号 25℃50%RH 20循环 50循环时 100循环
CTR VF CTR VF CTR VF CTR VF
#1
#2
#3
#4
#5
#6
#7
#8
#9
#10
平均值
标准差

9.2 低温试验
9.2.2 测试目的：
本试验是用来确定产品在低温时电性能状况。
9.2.2 测试条件：
将试验样品置于温度冲击箱内，试验条件:-40℃,48h；试验温度未达到试验温度不计入试验时间，待温度稳定后24h,48h时（当能比较出不同厂商产品可靠性差异时可停止试验）检查它们的某项技术参数。当某项技术参数在THB试验后的测量值与标称值之差越大,表示其产品可靠性越差。如表2记录试验结果：
表2
样品编号 25℃50%RH 24小时 48小时
CTR VF CTR VF CTR VF
#1
#2
#3
#4
#5
#6
#7
#8
#9
#10
平均值
标准差

9.3 THB试验
9.3.2 测试目的：
本试验是用来确定产品在高温高湿带电情况下产品之可靠性状况。
9.3.2 测试条件：
将试验样品置于温度冲击箱内，THB试验条件为85℃,85%RH,80%的额定电压,1000h。在100h,200h,300h,500h,800h,1000h时（当能比较出不同厂商产品可靠性差异时可停止试验）检查它们的某项技术参数。当某项技术参数在THB试验后的测量值与标称值之差越大,表示其产品可靠性越差。如表3记录试验结果：
表3
样品编号 25℃50%RH 100h 200h 300h 500h 800h 1000h
CTR VF CTR VF CTR VF CTR VF CTR VF CTR VF CTR VF
#1
#2
#3
#4
#5
#6
#7
#8
#9
#10
平均值
标准差

9.4 主要参数及对应特性值示例
9.4.2 传输比CTR特性
9.4.1.1 CTR与温度特性

9.4.1.2 CTR与时间特性

9.4.2 发光二极管光衰与温度及时间特性

这是我花钱下载了一份文档里面提到的国产光电耦合器主要失效模式和失效机理，由于该文档有专利版权，这里就不共享了，以下是我摘录的内容:
序号 失效模式 失效机理
1 暗电流超差可动离子玷污；内引线下垂和芯片裂纹。
2 开路 键合工艺缺陷。
3 输入输出间绝缘电阻小点硅凝胶工艺控制不良或胶发生形变使上下非接触对偶间距减小；导电胶溢出和迁移。
4 光发射管反向电流大LED芯片边缘崩缺，损伤pn结。
5 光传输特性失效 IC芯片损伤使光接收管的电信号对地短路。

不指导大家还有没有好的针对光电耦合器失效分析的资料？？？

谢谢！
GJB/Z299C-2006的第207页那里有光电耦合器的失效模式以及频数比：
1）引线故障；3.9%；2）污染；2.0%；3）退化；54.8%；4）过电应力；5.9%；5）不能切换；27.5%；6）开路，5.9%。

以上的失效模式比较概要，没有进行详细的阐述，而且没有对失效机理进行阐述，如果大家能提供详细的失效模式及机理就好了！

帮顶。。有比较专业的朋友分享一下