一篇小分析文章
Advancesinintegratedcircuitfabricationtechnologyoverthepasttwo
decadeshaveresultedinintegratedcircuitswithsmallerdevicedimensionsand
largerareaandcomplexity.Thisevolutionoftechnologyhighlightselectromigration
asamajorreliabilityprobleminsiliconVLSIcircuits.Emphasisis
placedonthescopeanddetailoftheelectromigrationteststructures
themselves,andontheanalysisofelectromigrationeffectswithinvarioustypes
ofaluminumteststructures.
学习了，感谢楼主
虽然是英文的不过还是很感谢楼主
我在外边，也在着一些中文的有关可靠性的文章，搜索到了这个网页。很高兴。但我手头资料有限，只能贴一些英文的，还望包涵！
呵呵！忙得没时间看英文了，如果能翻译成中文就再好不过