可靠性定量评价之建模（二）

[size=3][color=#000000]电子元器件可靠性模型基础理论相对成熟，因电子元器件大部分是靠电子和空穴的相对运动相互复合的过程，而该过程受温度影响较大，温度越高相对电子运动速度越快，因此大部分的电子元器件可靠性模型均以[font=Calibri][size=3][color=#000000]Arrhenius[size=3][color=#000000]模型为基础再结合器件本身特性来建立精确的可靠性模型，如[font=Calibri][size=3][color=#000000]MOS[size=3][color=#000000]管的门槛电压可靠性模型：[size=3][color=#000000][font=Calibri]Vth=∫[font=Calibri][size=3][color=#000000]A*f(t)*f(Vg)*exp(-Ea/kT)dt[size=3][color=#000000]该模型是不是和[font=Calibri][size=3][color=#000000]Arrhenius[size=3][color=#000000]模型比较像？[font=Calibri][size=3][color=#000000];P[font=Calibri][size=3][color=#000000][size=3][color=#000000]同理，部件级的[font=Calibri][size=3][color=#000000]IGBT[size=3][color=#000000]的可靠性模型，可基于各个组成元器件进行数据化精准建模[font=TimesNewRoman][size=3][color=#000000]
[size=3][color=#000000]系统级的可靠性模型相对复杂，一般工程使用时做一定的假设条件：[font=TimesNewRoman][size=3][color=#000000]
[size=3][color=#000000]随着当前较热门的[font=Calibri][size=3][color=#000000]bigdata[size=3][color=#000000]技术的兴起和深入应用，智能化实时建模将成为可靠性建模的方向之一。