有关QFN ESD/EOS的问题

最近有个产品上的一个QFN芯片通过一些分析手段,发现在QFN的die上有个位置有hot spot的不良(就像包裹一团什么东西在上面似的)导致附近的信号脚短路现象发生。我们判断应该是由于ESD或者EOS导致的,因为那一团东西(我们赞叫做hot spot)很像之前发生的ESD/EOS现象。现在的问题是如何判断ESD还是EOS? 另外ESD/EOS会导致短路吗?通常不是击穿后应该是开路吗,怎么会短路呢?

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可靠性技术新手提问

谁能讲讲SR332的首年失效率

2019-7-29 14:44:59

可靠性技术新手提问

浅谈Shock test :S、V与G值之关系

2019-11-4 9:50:26

3 条回复 A文章作者 M管理员
  1. social_1642499355910

    die、chip的ESD大多数情形是击穿其中的绝缘介质膜层,电性失效表征为leakage,部分chip的ESD会导致金线熔断。

    而EOS的电能量一般比ESD大很多,die区域可能大面积烧毁,金线熔断或金线熔断后掉至die区域造成对应区域的线路短路。

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