有关QFN ESD/EOS的问题 可靠性技术 可靠性试验 19年7月31日 编辑 王贻甦 取消关注 关注 私信 最近有个产品上的一个QFN芯片通过一些分析手段,发现在QFN的die上有个位置有hot spot的不良(就像包裹一团什么东西在上面似的)导致附近的信号脚短路现象发生。我们判断应该是由于ESD或者EOS导致的,因为那一团东西(我们赞叫做hot spot)很像之前发生的ESD/EOS现象。现在的问题是如何判断ESD还是EOS? 另外ESD/EOS会导致短路吗?通常不是击穿后应该是开路吗,怎么会短路呢? 给TA打赏 共{{data.count}}人 人已打赏
social_1642499355910 lv1lv1 22年1月18日 die、chip的ESD大多数情形是击穿其中的绝缘介质膜层,电性失效表征为leakage,部分chip的ESD会导致金线熔断。 而EOS的电能量一般比ESD大很多,die区域可能大面积烧毁,金线熔断或金线熔断后掉至die区域造成对应区域的线路短路。
die、chip的ESD大多数情形是击穿其中的绝缘介质膜层,电性失效表征为leakage,部分chip的ESD会导致金线熔断。
而EOS的电能量一般比ESD大很多,die区域可能大面积烧毁,金线熔断或金线熔断后掉至die区域造成对应区域的线路短路。
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