2.1.3.2失效模式和機理與生產年代、使用環境的關係：
對於功能或型號相同的器件，不同年代的產品失效模式和機理是
不同的。比如，上世紀50~60年代因半導體加工用的去離子水純度不
夠，鈉離子玷污造成的器件漏電大的失效模式占失效總數的比例很
高，此後，大約過了二十多年，因去離子水純度問題已經解決，納離
子玷污造成的器件漏電大的失效模式明顯減少。又如，Bel某些有需
要Molding的產品，以前產品內部使用收縮率大的Silicon，好幾年，
產品經常有Crack存在。後來，改用Dolph，此問題明顯減少。
即使同年代的產品，地區不同，失效模式機理也不同。比如同批
次的積體電路其內在的抗靜電能力相同，但因為環境濕度不同，在不
同地方，出現靜電擊穿失效模式的比例也不同。同在一個地方使用，
夏季出現的比例比冬季要少。同在一個地方與冬季使用，使用時注意
靜電防護的單位或個人，出現的靜電擊穿比例少。
所以，如果不瞭解這一點，有時我們可能無法解釋一個20年前製
①造的失效件的失效現象，或無法解釋同批的失效件僅僅在特定的條
件下失效。
