激活能Ea如何取值？(附微电子器件失效激活能快速评价法) 可靠性技术 可靠性试验 09年4月14日 编辑 chenmanwen 取消关注 关注 私信 我想做一个电源监控芯片的加速试验，要计算测试时间，但不知道Ea的取值，希望大家给予指导~不胜感激[list=1] [/list] [quote]18楼附: 微电子器件失效激活能快速评价法.pdf(398.84KB)[/quote] 给TA打赏 共{{data.count}}人 人已打赏
hujf2009 lv1lv1 16年5月3日 [quote][url=pid=89713&ptid=5799]yanghe98发表于2011-5-522:09[/url] 二楼的思路非常值得借鉴！ 与大家分享一篇论文， [/quote] 感谢分享~:lol
kingkong lv1lv1 13年4月2日 答案已经在回帖中了，如要准确了解产品的活化能只有自己设计试验，条件还是要依据产品对于温度的临界条件，设置2个或以上的温度点反用Arrhenius模型即可得到。
dingosong lv2lv2 12年1月13日 [quote]失效模式 失效机理 激活能（eV） 阈值电压漂移 离子性（SiO2中的钠离子漂移） … murenlijun发表于2009-4-1416:35[url=pid=45393&ptid=5799][/url][/quote] 这个是在哪儿找到的？
yanghe98 lv4lv4 11年5月5日 二楼的思路非常值得借鉴！ 与大家分享一篇论文， [b]微电子器件失效激活能快速评价法 郭春生李志国吴月花等人[/b] 文件下载：失效激活能快速评价法.pdf 密码或说明： 大小：398KB attach文件下载后改名pdf后缀
ALT lv2lv2 11年3月6日 [b]回复[url=pid=45384&ptid=5799]1#[/url][i]chenmanwen[/i][/b] 您好,激活能建议用实验方法计算得出.如果无法做实验,建议取0.7eV,但是这个非常不准确.不同产品的激活能一定是不同的. ([email]vc.liew@hotmail.com[/email],个人网站blog.sina.com.cn/reliability001)
shaozhijie lv2lv2 11年3月1日 [b]回复[url=pid=45442&ptid=5799]3#[/url][i]sunjj[/i][/b] 您说一般的国际大厂都会在网站上有所说明，，能不能给个例子，先谢谢sunjj了~~~~~~~~
sunjj lv5lv5 09年4月15日 用于加速模拟寿命试验的Ea值，一般国际大厂使用0.7eV，也有保守的使用0.6eV。 这些数据可以在这些厂商的网站上取得，一般在〈质量和可靠性手册〉中。 这些数据的取得，当然要试验后取得，也可以直接引用。 关于你的案例（电源监控芯片），也可以要求芯片流片厂提供。
murenlijun lv2lv2 09年4月14日 失效模式 失效机理 激活能（eV） 阈值电压漂移 离子性（SiO2中的钠离子漂移） 1.0~1.4 阈值电压漂移 离子性（Si－SiO2界面的低阻挡层）1.0 漏电流增加 形成反型层（MOS器件） 0.8~1.4 漏电流增加 隧道效应（二极管） 0.5 电流增益下降 因水分加速离子移动 0.8 开路 铝的腐蚀 0.6~0.9 开路 铝的电迁移 0.6 短路 氧化膜击穿0.3
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谢谢分享，学习学习
18楼论文不错,激活能方面资料比较少,多谢分享.
不懂……………………………:Q
:lol我们最近也在纠结激活能的问题，头大，之前用0.45
这些都是试验参数吧，一般都是机密
也在寻找答案，不错的问题。
自己做试验的代价有点大:L
新人围观学习。。。
有人知道金属反应激活能吗？
有相关标准吗？
thanks for your share 😀
理解不透，还需努力消化！
半懂不懂，不敢妄言。
附件资料受教了~:P
附件中的内容有点深奥，
太感谢了，公司米国专家卡俩星期也没说出EA咋得，看来还是得多像诸位学习
谢谢
[quote][url=pid=89713&ptid=5799]yanghe98发表于2011-5-522:09[/url]
二楼的思路非常值得借鉴！
与大家分享一篇论文，
[/quote]
感谢分享~:lol
要好好看一下，多谢分享
关于这个激活能我们目前采用0.8eV，没有任何理论依据，现正学习如何通过试验确认该值，谢谢18楼的分享。
学习了
学习了
真心不错啊。。
好资料看看
附件的东西有点深奥
楼上的讨论很不错，学习一下:)
有没有具体元器件的激活能值共享下
答案已经在回帖中了，如要准确了解产品的活化能只有自己设计试验，条件还是要依据产品对于温度的临界条件，设置2个或以上的温度点反用Arrhenius模型即可得到。
多谢分享~~~~
不错的东东
电子行业中很多大公司都采用0.67eV,如果一般的消费类产品，电源芯片可以近似引用
附件的资料看了，似乎对于实际测试中如何得到Ea没有多大的帮助
[quote]失效模式 失效机理 激活能（eV）
阈值电压漂移 离子性（SiO2中的钠离子漂移） …
murenlijun发表于2009-4-1416:35[url=pid=45393&ptid=5799][/url][/quote]
这个是在哪儿找到的？
18楼论文不错,激活能方面资料比较少,多谢分享.
要选激活能，首先要知道它的含义和在模型中的影响大小。
二楼的思路非常值得借鉴！
与大家分享一篇论文，
[b]微电子器件失效激活能快速评价法
郭春生李志国吴月花等人[/b]
Dolifetimeevaluationinadvance,cangetEa
[b]回复[url=pid=45384&ptid=5799]1#[/url][i]chenmanwen[/i][/b]
您好,激活能建议用实验方法计算得出.如果无法做实验,建议取0.7eV,但是这个非常不准确.不同产品的激活能一定是不同的.
([email]vc.liew@hotmail.com[/email],个人网站blog.sina.com.cn/reliability001)
我也用0.7
經驗值得一學,取0.7吧
[b]回复[url=pid=45442&ptid=5799]3#[/url][i]sunjj[/i][/b]
您说一般的国际大厂都会在网站上有所说明，，能不能给个例子，先谢谢sunjj了~~~~~~~~
同意通过实验来求的适合你们公司产品的值，推荐值毕竟是推荐值
用模型返回来求Ea
有没有EA的相关选取的列表可以共享下
最准确就是先做实验知道产品的寿命,在用模型返回来求Ea
我们目前用0.7ev，等积累足够数据后再推算自己产品的ev
半導體會參考MIL-HDBK-217的0.43ev
不建议用参考值，还是要自己设计实验做出实验值的
一般电子类产品我们公司的EA取值都取0.67eV.不知道有更加科学的取值方法没？谢谢
感谢SUNJJ！
用于加速模拟寿命试验的Ea值，一般国际大厂使用0.7eV，也有保守的使用0.6eV。
这些数据可以在这些厂商的网站上取得，一般在〈质量和可靠性手册〉中。
这些数据的取得，当然要试验后取得，也可以直接引用。
关于你的案例（电源监控芯片），也可以要求芯片流片厂提供。
失效模式 失效机理 激活能（eV）
阈值电压漂移 离子性（SiO2中的钠离子漂移） 1.0~1.4
阈值电压漂移 离子性（Si－SiO2界面的低阻挡层）1.0
漏电流增加 形成反型层（MOS器件） 0.8~1.4
漏电流增加 隧道效应（二极管） 0.5
电流增益下降 因水分加速离子移动 0.8
开路 铝的腐蚀 0.6~0.9
开路 铝的电迁移 0.6
短路 氧化膜击穿0.3