降额设计疑惑

[color=Gray]看到一个例子:一个三端稳压器W78M12的电路(Vo=18V,Vi=12V),对其前后所加的输入输
出滤波电容器,在降额要求上就有些不同。粗心的设计者,简单地选取25V150μF作输入电容。实际情况是,当产品进行高温(
70℃)测试时,常常发生电容击穿失效。仔细核算发现其降额使用存在问题。因为考虑到三端稳压器的压差问题,设计者将输入
电压提高到18V(实际甚或达到了近20V),其常温下的降额系数为:n=20V(使用值)/25V(额定值)=0.8
但实测环境温度为70℃时,其机内温度已达90℃以上,此时,电解电容器的高温漏电流便会明显上升,其耐压的温度降额已不容
忽视。如果温度耐压降额取0.8,则:U′额定=25×0.8=20(V)
此时该电容器的实际降额系数为:n′=20/20=1
这便是一种危险的使用状态。还没有考虑电源整流的波形脉动因素、波动、其它杂波尖峰,就势必引起输入滤波电容器的击穿。
1、但是看电容的降额曲线,是个矩形,超过温度没有降额啊,上例子中的“温度耐压降额取0.8”是怎么来的?
2、另外,看GJB35附录B中的降额曲线,集成电路、晶体管的曲线图应该可以共用吧,电阻的应该是要看器件spc,每个不同,是否这样?
3、对于一些数字芯片能降额吗?看电脑报上超频,都是电压0.0*V的差别,若PC降额不是降频或超频了
4、GJB35中降额的项目是否够了,比如电容只有“直流工作电压”没有纹波电流、泄露电流、surge、DF,电感也没有磁通量、Q值等
5、GJB35附录A中的确定降额曲线的方法比较好,根据器件的失效率和S的关系图,确定降额,但是不知道它是根据什么确定降额的1、2、3等级的

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可靠性技术可靠性试验

提高应力以缩短MTBF试验时间?

2009-4-23 15:11:38

可靠性技术可靠性试验

pmos管

2009-4-23 20:04:15

12 条回复 A文章作者 M管理员
  1. justinbk

    [quote]原帖由[i]elic[/i]于2009-4-2411:58发表[url=pid=46453&ptid=5926][/url]
    降额标准中的“容差”用来干什么?
    调整上下限度,做容差测试吗?[/quote]

    容差设计其实是针对电路性能而进行的,并非针对器件本身。现实世界里的所有元器件都非理想器件,电阻、电容、电感都有精度或误差表示,很多参数都只能给出一个范围,而无法精确给定确切的一个值,这就是公差范围,尽管我们希望所有的器件都能像我们设想的那样完美,是多少就是多少,并且最好能够经久不变,但这只是一种美好设想,器件还会由于环境条件(比如温度、湿度、振动条件等等因素)影响,导致参数发生漂移。元器件的材料也会因为使用,参数发生老化或退化;使用的电条件也会导致器件发生更改,比如电容的容值会受两端的电压影响等等,这些问题会实实在在的存在于每一个电路的每一个元器件当中。我们在设计电路的时候通常都是根据标称的“某一个值”,注意,一般设计人员会注意标称值,并非标称范围,比如我们会关心这个电阻是100ohm还是1k的,但可能忽视了它是5%精度还是10%甚至20%,那么这个时候问题就来了,比如这个电阻是用在分压电路上,电阻的变化可能直接导致电阻两端电压发生改变,问题严重时可能会引起电路开关状态的改变,比如用在取样电路中的取样电阻,;再比如对于模拟电路就更明显些,元器件的精度不够可能直接关系到输出结果,这就是为什么通常数字电路比模拟电路抗干扰能力强的原因之一。

    概括来讲,容差分析就是考虑到具体一个电路中可能由于元器件自身精度(或误差)、潜变、老化、环境影响等各种因素之后,分析综合这些影响对电路功能可能导致的不利影响,比如使用软件进行常说的worstcaseanalysis最坏情况分析,最后进行改进,尽量避免因为上述原因导致的电路潜在故障。这就是所谓的容差设计。说的比较简单,其实做起来还是很难的呵呵。

  2. fanweipin

    [quote]原帖由[i]elic[/i]于2009-4-2411:55发表[url=pid=46451&ptid=5926][/url]
    我是看GJB299C,纸质的,无法附上图
    2类瓷介电容,额定温度85
    曲线s=1,
    温度25,失效率0.055*10^-6/h
    温度85,失效率0.065*10^-6/h
    比其他类型的电容失效率变化小多了
    比较符合降额曲线[/quote]

    LZ说的是这个吧!
    gjb299.jpg

  3. elic

    降额标准中的“容差”用来干什么?
    调整上下限度,做容差测试吗?

  4. elic

    我是看GJB299C,纸质的,无法附上图
    2类瓷介电容,额定温度85
    曲线s=1,
    温度25,失效率0.055*10^-6/h
    温度85,失效率0.065*10^-6/h
    比其他类型的电容失效率变化小多了
    比较符合降额曲线

  5. admin

    电容降额曲线,仅供参考。
    image021.png
    image023.png
    image025.png
    image027.png
    image029.png

  6. wonderlee

    这个实力可以提高点解电容的耐压值啊,提到36V不就什么事情都没有了吧。
    我们公司一般对与稳压IC电压输入端都是采用高耐压值的电解电容来滤波的。其降额值等级多为2级,甚至可以到1级。电解电容便宜,同容量的不同耐压的价格一样,差别很小很小。

  7. justinbk

    [quote]原帖由[i]elic[/i]于2009-4-2317:18发表[url=pid=46383&ptid=5926][/url]
    电容的降额曲线是矩形的,是基于什么原理
    查看电容的失效率是随温度升高而增加的啊
    倒是陶瓷电容的失效率曲线比较平,是否基于此的考虑?[/quote]

    绝大部分电子元器件的失效率都是随温度升高而变大,陶瓷电容器也不例外。你说的陶瓷电容器失效率曲线比较平坦能否发个图出来?

  8. justinbk

    [quote]原帖由[i]elic[/i]于2009-4-2317:12发表[url=pid=46381&ptid=5926][/url]
    谢谢楼上回复
    就是说那个例子中的降额考量方法是错误的;
    一般有的信息,没有实际产品想要的温度,所以我得搞懂降额曲线,以便“拿尺量”啊[/quote]

    不能说错。这是两种不同的做法。你所引用的国军标中的这种矩形实际上是一种非线性降额的表示方法,在给定的温度范围内,只是给出三个降额等级系数,根据使用者对设备可靠性的要求不同自己选择降额系数,全温度范围的系数一致,前提是温度不超过电容器的最高额定使用温度,所以当温度在最高使用温度时,降额系数是0,也就是意味着此时电容器不能使用了,这个是军标里面的要求。
    不过按照Nichicon的说法,以钽电解电容器为例,在超过最高额定温度时也可以使用,但在原有降额的基础上再进行降额,如见附件。如图所示,在超过85℃环境下,温度越高,降额程度越高,比如85℃以下不超过0.68左右,在105℃时降额系数为0.5,130℃是降额系数为0.28左右。
    一般产品在设计的时候肯定会有产品的使用环境温度,通过热设计仿真或经验会了解到产品内部的大致使用环境温度,选择何种降额系数(如按照军表规定)就要看你对所设计的产品的可靠性要求如何,可靠性要求越高,降额就越大。
    1.JPG

  9. elic

    电容的降额曲线是矩形的,是基于什么原理
    查看电容的失效率是随温度升高而增加的啊
    倒是陶瓷电容的失效率曲线比较平,是否基于此的考虑?

  10. elic

    谢谢楼上回复
    就是说那个例子中的降额考量方法是错误的;
    一般有的信息,没有实际产品想要的温度,所以我得搞懂降额曲线,以便“拿尺量”啊

  11. justinbk

    1.最高温度是70℃的意思就是该电容器不能在高于70℃的环境下工作,不能应用在超过70℃的环境下工作,也无所谓这个条件下的降额;
    2.具体到某一种元器件的降额最好参考数据手册中的说明进行,GJB35是个很老的标准,很多东西已经不太适用与现在的元器件;
    3.PC的超频使用不在一般的元器件应用范畴,超频使用是以牺牲可靠性和寿命为代价的,工业上不会这么使用,但有一种设计叫升额设计,与降额设计相对,不过一般不建议;
    4.和5.还是那句话,GJB35是个很老的标准,而且是军方标准,会比民用级别高,只能做基本参考,应用的时候最好根据供应商提供的使用建议进行降额设计,但对于电感、电容、电阻等基本元器件降额项目基本能包含。

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