型号：某个型号的小功率MOS管
封装：裸芯片，采用自主设计的临时封装夹具
根据GJB128-97，场效应管功率老炼C–直流功率老炼的规定：给器件施加一定的功率(没有规定是额定功率)，使得该器件的结温在175℃~150℃范围。
现在问题来了
因为该裸芯片采用临时封装，热阻比同样型号的封装管要大得多，所以假如施加器件datasheet里的额定功率，那么结温肯定会超过175℃
但是如果不加上额定功率的话，我看过几篇论文，是关于提高晶体管寿命试验可靠性的论文，文章提出一个观点，就是即使器件的峰值结温已经达到175℃，但是根据半导体原理，器件在低压小功耗下结温均匀，但是在高压大功耗下就变得不均匀，可能会出现热斑失效。换句话说，在小功耗下通过实验的器件，在大功耗下不一定能通过。
所以功率老炼的两个必要条件是：(1)加上额定功率(2)结温达到175℃~150℃
而根据上面的分析这两个条件是不能同时达到的，因为加上额定功率结温肯定超过范围；结温控制在175℃~150℃，又肯定达不到额定功率
想过有两种解决方法：
(1)改善散热条件。但是夹具的散热潜力已经基本挖掘完了，如果采用风冷、水冷，又要改变设备，耗费大不合算
(2)采用连续脉冲。在脉冲期间施加额定功率，甚至远远大于额定功率，通过调整脉冲的频率、占空比，来让器件在两个脉冲之间散热，使温度保持在175℃~150℃。
不知道(2)可不可行？？？能达到标准的要求不？
