求MOS管失效的物理模型 可靠性技术 新手提问 09年5月19日 编辑 heavenfish56 取消关注 关注 私信 看了许多文献，有的说Vth变化10mv，有的说gm变化10%，有的说Id变化，可以衡量MOS管失效。但是工作在开关区的MOS管，给选那个参数作为失效判据呢！急的啊，时间已经不多了！请大家帮帮忙啊！ 给TA打赏 共{{data.count}}人 人已打赏
