CMOS电路的闩锁效应及ESD论文

发几篇资料，希望大家有用

ElectrostaticDischarge(ESD)
Contents
Introduction…………………………………………………………………..2
WhatisESD?………………………………………………………………2
ESDTestModels……………………………………………………………2
Human-BodyModel(HBM)…………………………………………………………2
MachineModel(MM)……………………………………………………………..2
Charged-DeviceModel(CDM)………………………………………………………3
ESDFailures…………………………………………………………………..3
LatentFailures……………………………………………………………..3
ESDFailureModes………………………………………………………….3
ESDProtectionStrategy…………………………………………………………4
ESDProtectionMethods………………………………………………………4
ESDDesignRules…………………………………………………………..5
ESDDesignChecker……………………………………………………………..5
ESDProtectionAnalysis…………………………………………………………..6
ESDAvoidance……………………………………………………………..6
ESDControlProgram…………………………………………………………….6
TrainingandCertification………………………………………………………….7
ESDTeam……………………………………………………………………..7
AuditCompliance………………………………………………………………..7
TIESDHandlingProcedures……………………………………………………….7
References……………………………………………………………………7

第十二章CMOS电路的闩锁效应(Latch-upEffect)

CMOS电路闩锁效应是在异常工作条件下，引发的CMOS电路中的寄生晶体管进入的一种异常状态。
CMOS电路受激发发生闩锁效应时，电路的VDD与VSS间呈低阻状态，类似可控硅器件的特性。因而闩锁效应也成为可控硅效应。