[size=12px]我们知道，硅（Si）作为当前微电子技术的基础材料，在半导体信息功能材料中有着重要作用。
可以说，今天几乎90%以上的电子器件和电路都是以硅（Si）作为基础的，2005年世界集成电路的产值大约为2000亿美元，并由它而带动了１万亿美元的电子产品，硅微电子技术已深入到千家万户，深刻地影响着世界政治、经济和军事对抗的格局以及每一个人的生活。硅材料经过多年的发展和竞争，信越、瓦克、SUMCO和MEMC等世界六大硅片公司的销量占硅片总销量的90%以上，决定着国际硅材料的价格和高端技术产品市场。世界半导体市场已经从2001年的低谷中走出，并以年10%以上的速度递增。目前，世界电子级硅单晶材料的产量已超过1万吨，8英寸～12英寸硅片已广泛用于超大规模集成电路的制造，其中12英寸硅片约占IC用硅片的20%，2015年12英寸将成为主流产品，预计2016年18英寸硅片也将得到应用。2001年和2004年硅集成电路（ICs）的工艺已分别实现了130纳米和90纳米量产；根据国际半导体技术发展蓝图（ITRS）预测，2007年将实现特征尺寸65纳米，2010年实现45纳米，2013年实现32纳米，2016年实现22纳米，2022年将达到10纳米。
从提高硅集成电路成品率，提高性能和降低成本来看，增大直拉硅单晶的直径，解决硅片直径增大导致的空洞型缺陷密度增加和均匀性变差等问题，仍是今后硅单晶发展的大趋势。从进一步缩小器件的特征尺寸，提高硅ICs的速度和集成度看，研制满足硅深亚微米乃至纳米工艺所需的大直径硅外延片将会成为硅材料发展的另一个主要方向。另外，绝缘体上半导体（SOI）材料，因其具有电路速度快、抗辐射、低功耗和耐高温等特点，同时还兼有可简化工艺流程、提高集成密度、减小软误差等优势，受到广泛重视。据预测，SOI材料2008年的市场将达到每年80亿美元，其中，大部分为300毫米SOI圆片市场。
我国硅材料行业经过40多年的发展已取得很大进展，但是仍旧无法满足国内市场的需求，供需缺口很大，已严重制约着我国集成电路和太阳能[color=#ffffff]电池产业的发展。我国硅单晶材料以5英寸、6英寸为主，其生产能力在1500吨左右，8英寸、12英寸硅单晶及抛光片，虽已具有小批量生产能力，但尚未应用于集成电路制造。硅外延材料产品主要是4英寸和5英寸的，6英寸外延片还未实现量产，8英寸硅外延片尚处起步阶段。8英寸、12英寸硅抛光片和外延片几乎全部依赖进口。我国SOI（主要是SIMOX圆片技术）研发虽有一定的基础，但在8英寸以上SOI圆片制造方面仍是空白。国内在SiGe异质结外延材料生长和SiGe-HBT等器件与电路研发的技术水平，特别是生产水平与国外差距很大。
按照《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006～2020年）》以及微电子强国建议的目标，在2010年左右我国要从集成电路消费大国成为生产大国，2020～2025年迈入集成电路产业强国的要求，到2010年，就至少要建设8～10条8英寸和8～12条、月生产能力3万片的ICs生产线；在其后的十年左右时间内，还应再建设一批8英寸、12英寸生产线。这对我国硅及其微电子配套材料发展相对滞后的现状是一个非常严峻的挑战。
阁下是院士？
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[size=12px][color=black]信息时代对超大容量信息传输、超快实时信息处理和超高密度信息存储的需求加快了信息载体从电子向光电子和光子的转换步伐，光纤通信、移动通信和数字化信息网络技术已成为信息技术发展的大趋势。相应地，半导体光电信息功能材料也已由体材料发展到薄层、超薄层微结构材料，并正向集材料、器件、电路为一体的功能系统集成芯片材料、有机/无机复合、有机/无机与生命体复合和纳米结构材料方向发展；同时伴随着材料系统由均匀到非均匀、由线性到非线性和由平衡态到非平衡态发展；材料生长制备的控制精度也将向单原子、单分子尺度发展。
从材料体系上看，除硅和硅基材料作为当代微电子技术的基础在21世纪中叶不会改变之外，化合物半导体微结构材料以其优异的光电性质在高速、低功耗、低噪音器件和电路，特别是光电子器件、光电集成和光子集成等方面发挥着越来越重要的作用；与此同时，近年来硅基高效发光研究取得的重大进展使人们看到了硅基光电集成的曙光。有机半导体发光材料以其低廉的成本和良好的柔性，已成为全色高亮度发光材料研发的另一个重要发展方向，可以预料它将成为下一代平板显示材料的佼佼者。GaN基紫、蓝、绿异质结构发光材料和器件的研制成功，不仅将使光存储密度成倍增长，而更重要的是它将会引起照明光源的革命，社会经济效益巨大。航空、航天以及国防建设的要求推动了宽带隙、高温微电子材料和中远红外激光材料的发展。探索低维结构材料的量子效应及其在未来纳米电子学和纳米光子学方面的应用，特别是基于单光子光源的量子通信技术，基于固态量子比特的量子计算和无机/有机/生命体复合功能结构材料与器件发展应用，已成为材料科学目前最活跃的研究领域，并极有可能触发新的技术革命，从而彻底改变人类的生产和生活方式。
另外，从半导体异质结构材料生长制备技术发展的角度看，已由晶格匹配、小失配材料体系向应变补偿和大失配异质结构材料体系发展。如何避免和消除大失配异质结构材料体系在界面处存在的大量位错和缺陷，是目前材料制备中的一个迫切要解决的关键科学问题之一，它的解决将为材料科学工作者提供一个广阔的创新空间。
[color=black]希望能够健康有序地发展多晶硅产业。
目前国际上绝大多数多晶硅生产企业都采用闭环改良西门子法生产多晶硅，这种技术基本上可满足环保要求；但采用技术比较落后的非闭环的所谓改良西门子法的厂家生产多晶硅，不仅能耗高，而且必将造成对生态环境的污染。
在我看来，这些多晶硅项目的无序上马，实际上是严重的低水平重复建设。欧美先进的改良西门子工艺已经比较成功地解决了多晶硅生产的能耗和环保问题，然而目前这个技术对中国严格封锁。就我所知，目前中国多晶硅生产除了中硅等公司在自主研发外，还有利用俄罗斯的多晶硅提纯技术结合引进欧美的设备的厂家；但这些技术与国际先进的技术相比还存在一定的差距，尚未彻底解决高能耗和环保问题。
现在这种多晶硅技术，会对环境造成什么样的影响?
如果不采取这种先进的闭环生产方式和优化的工艺路线，那么除造成环境污染外，能耗高，成本高，难在国际竞争中取胜。
除了市场风险外，更让人担心的是，投资多晶硅的大部分企业之前并没有该行业甚至化工产业的背景，但却描绘了一幅极为亮丽的投资前景，但事实上这样的估计可能过于乐观了，上马一条1000吨多晶硅生产线大约需要10亿元，而多晶硅对系统性要求非常高，不是单套，而是几百套上千套设备相互配合才能做出产品，因为大量易燃易爆气体的存在，所以对生产过程的安全要求很高，副产品回收方面也需很高的工艺水平和技术风险。
要生产出物美价廉的，即成本低、质量高的产品，那样门槛是很高的，因为它是个非常复杂的系统工程，对技术、设备和人才的要求都非常高，要精心设计、严格管理，各种人员的相互紧密配合才能做出高质量的产品;它不是一个简单单一技术，一个一千吨多晶硅厂要投资十亿多，这么大的规模，除资金、设备外，还须要一个技术团队，物理的、材料的、化学的和工程的人才都要有。
作为专业人士，我是对大规模的无序的上马这些太阳能产业，持反对意见。
我想政府应该出台一些相关政策，如像多晶硅这样的战略资源发展政策等，一是要择优支持有条件的企业独立自主的发展我国的多晶硅产业，走可持续发展道路，二是严格限制技术落后的、高能耗和可能造成对环境严重污染的企业盲目上马，已经上了的项目也要限期改进工艺技术，实现闭环生产。
[[i]本帖最后由热策品牌于2009-7-111:16编辑[/i]]