iST在IC失效研究斐然，将于IPFA论坛发表解决方案

iST集团-宜特‧宜硕研发成果再添佳绩! iST今(5/16)宣布，台湾宜特总部与子公司上海宜硕，从全球个中好手脱颖而出，数达三篇研究成果，获选进入IEEE等级、半导体故障分析领域最高殿堂IPFA 2013 (International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, 集成电路失效分析论坛)发表研究成果。

IPFA为IEEE于1985年成立，至今已发展为世界举足轻重的可靠性与失效分析会议组织。今年，第20届IPFA国际会议，将于 7月15-19号在大陆苏州举行，宜特将在此会议中，以IC质量为主轴，分别探讨「3DIC微凸块失效观察」、「IC电磁辐射消除」与「EOS 脉冲波过电保护」三方面。

在3DIC 方面，iST研究出两种克服的方式，其一是利用研磨技术将3DIC微凸块(u-bump)失效区域定位，并搭配聚焦离子束显微镜(FIB)，将其失效微凸块切削进行断面观察；其二是扩大可观察的微凸块范围，从100um提升至3000um，此两项技术亦可使用在3DIC的硅穿孔(TSV)结构观察。

左图:3DIC研磨搭配FIB切削后观察

中与右图: 3000um微凸块观察

而在IC电磁辐射消除的研究上，iST藉由传统与专利研发的新型FIB搭配，将任意电容值的电容放置于IC芯片上，并与IC内部的讯号节点作链接。藉此方法，客户不需重新投片，即可找到电磁辐射源头并加以消除，提供IC设计者一种CP值极高的IC EMI解决方案。

左二图: 利用FIB技术于IC上制作电容，并链接至内部讯号
右二图: 由近场EMI扫描测试，可看出芯片电容的制作能有效降低此IC中心处的电磁辐射程度

在「EOS 脉冲波过电保护」上，iST藉由脉冲波模拟不同制程的IC上电，从其产生的过度电性应力(EOS)机制进行研究，在这当中，发现EOS耐受能力与脉冲时间存在「线性关系」，同时也发现IC制程本身闸氧崩溃与电压有关。从此测试，亦可提供客户简易方式，来对组件进行抗受力测试，亦可对于组件过电保护，提供一个有效参考指标。

iST集团全球营运长林正德表示，iST此次在IC技术领域研究的卓进，也已经实际应用在客户产品上有所成果，大幅缩短客户产品开发验证时程，使客户可以快速迈向量产阶段。

iST集团发言人林榆桑进一步说明，此次台湾与上海实验室共同进入IPFA的殿堂，亦代表 2013年宜特整合全球实验室资源的第一步，iST将以全球完整的验证测试链，提供客户全方位的服务平台，协助客户找出潜藏的风险 / 失效，强化IC性能，降低成本。

关于iST集团 -宜特‧宜硕

始创于1994年，iST从 IC 线路除错及修改起步，逐年拓展新服务，包括故障分析、可靠度验证、材料分析与质量保证等，建构完整验证与分析工程平台与全方位服务。客户范围囊括了电子产业上游 IC 设计至中下游成品端。随着绿色环保意识抬头，iST不仅专注核心服务，并关注国际趋势拓展多元性服务，建置无铅与无卤可靠度验证、化学定量分析与碳足迹温室气体盘查服务，顺利取得多项国际知名且具公信力的机构 ─ 德国 TUV NORD 与英国 BSI 认证。同时在国际大厂的外包趋势下，宜特科技也扮演品牌公司委外制造产品的独立质量验证第三公证实验室，取得 Dell、Cisco、Delphi、Continental Automotive、Lenovo 等品牌大厂认证实验室资格。

iST以追求精准、完美、效率的原则从新竹出发，陆续在世界拓展营运据点，包括大陆地区-昆山宜特、上海宜硕、北京宜硕、深圳宜特；日本IC Service；美国IST成立实验室，期能为客户提供更完整、快速、先进与创新之高质量技术服务，与全球领先趋势共同成长。进一步信息请至公司网站：www.isti.com.cn查询。

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