航天元器件有效贮存期和超期复验要求
Reinspection requirement for valid storaging term and exceeded valid storaging term of aerospace parts
QJ2227A-2005 航天用电子元器件储存和超期复验要求
前言
本标准代替QJ 2227—1992《航天用电子元器件贮存和超期复验要求》。
本标准与被代替标准相比主要有以下变化：
a） 规定了元器件的有效贮存期；
b） 根据元器件的贮存质量等级和应用场合分级进行有效贮存期的计算；
c） 增加了第二次超期复验的规定，以适当延长元器件的使用期限；
d） 由于本标准的内容与QJ 2227—1992相比有较大的增加，因此标准的名称也作了相应的改变。
本标准的附录A为资料性附录。
本标准由中国航天科技集团公司提出。
本标准由中国航天标准化研究所归口。
本标准起草单位：中国航天标准化研究所。
本标准主要起草人：余振醒、管长才。
本标准于1992年1月首次发布，2005年12月第一次修订。
航天元器件有效贮存期和超期复验要求
1 范围
本标准规定了航天产品用电气、电子和机电元器件（以下简称元器件）在规定的环境条件下贮存的期限（有效贮存期）；以及超过有效贮存期，在装机前应通过的检验方法和条件。
本标准主要适用于国产元器件，对于未列入本标准的国产元器件亦可参照与该类元器件有相同或相似特征(如制造工艺、结构特点等)的列入本标准的元器件使用。
2 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包含勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的
最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T 3187 可靠性、维修性术语
GJB 17.6 航空电线电缆试验方法 烘箱老化试验
GJB 17.21 航空电线电缆试验方法 低温弯曲试验
GJB 128A—1997 半导体分立器件试验方法
GJB 360—1996 电子及电气元件试验方法
GJB 451 可靠性维修性术语
GJB 548A—1996 微电子器件试验方法和程序
GJB 1649 电子产品防静电放电控制大纲
GJB 4027—2000 军用电子元器件破坏性物理分析方法
GJB/Z 9000 质量管理体系 基础和术语
3 术语和定义
GB/T 3187、GJB 451和GJB/Z 9000确立的以及下列术语和定义适用于本标准。
3.1
贮存期 storaging term
tS
元器件从生产完成并在生产厂检验合格后至装机前在一定的环境条件下存放的时间。
贮存期的计算按4.2的规定。
注：本标准中的贮存期，均以月表示。
3.2
有效贮存期 valid storaging term
tVS
一定质量等级的元器件在规定的贮存环境条件下存放，装机前其批质量能满足要求的期限。
3.3基本有效贮存期 basic valid storaging term
tBVS
未考虑元器件质量等级的有效贮存期。
3.4
贮存质量等级 storaging quality class
Q
根据元器件在制造、检验过程中质量控制的严格程度，对元器件贮存后性能的影响而确定的等级。
在本标准中规定了四个贮存质量等级，分别以Q1、Q2、Q3、Q4表示。
3.5贮存期调整系数 storaging term adjustment coefficent
cSA
根据元器件不同的贮存质量等级和用途，对基本有效贮存期调整的系数。
3.6
超期复验 reinspection for exceeded valid storaging term
超过有效贮存期的元器件，在装机前应进行的一系列检验。
3.7
继续有效期 continued valid term
超期复验合格的元器件在规定的贮存环境条件下存放，其批质量能满足要求的期限。
4 一般要求
4.1 贮存环境条件
4.1.1 通用贮存环境条件
元器件应贮存在清洁、通风、无腐蚀气体并有温度和相对湿度控制的场所。通用贮存环境条件的分类见表1。
表1 贮存环境条件分类
分 类 代 号 温 度 ℃ 相 对 湿 度 %
Ⅰ 10～25 25～70
Ⅱ -5～30 20～75
Ⅲ -10～40 20～85
4.1.2 特殊贮存环境条件
某些元器件的存放应满足以下特殊要求：
a） 对静电放电敏感的元器件（如MOS器件、微波器件等），应按GJB 1649的规定，采取静电放电防护措施；
b） 对磁场敏感但本身无磁屏蔽的元件，应存放在具有磁屏蔽作用的容器内；
c） 非密封片状元器件应存放在充有惰性气体的密封容器内，或存放在采取有效防氧化措施（如加吸湿剂、防氧化剂等）的密封容器内；
d） 微电机等机电元件的油封及单元包装应保持完整。
4.2 贮存期的计算
贮存期的起始日期按下列优先顺序确定：
a） 经过补充筛选（二次筛选）其筛选项目和条件不少于本标准规定的相应超期复验中非破坏性检验项目，且补充筛选（二次筛选）完成日期或生产日期不超过12 个月的元器件，可按补充筛选（二次筛选）合格证上筛选完成
的日期计算；
b） 按产品合格证上的检验日期计算；
c） 元器件上打印的生产日期（或星期）代码（号），凡仅有年月而无日期的均按该月15 日计算（如为星期代号，则按星期四的日期计算）；
d） 按包装容器上的包装日期提前一个月计算；
e） 按元器件验收日期提前两个月计算，如果验收时能确定元器件的生产日期，则应按生产日期计算。
从贮存起始日期至预定装机日期之间的时间为元器件的贮存期。
4.3 第一次超期复验的分类
贮存期超过有效贮存期的元器件应按本标准的规定进行复验，复验通过的元器件，才能作为合格品用于航天产品正（试）样上。元器件的超期复验按超过有效贮存期时间的长短分为A1、B1、C1三类：
a） 贮存期已超过有效贮存期，但未超过1.3 倍的为A1 类；
b） 贮存期已超过有效贮存期1.3 倍，但未超过1.7 倍的为B1 类；
c） 贮存期已超过有效贮存期1.7 倍，但未超过2.0 倍的为C1 类。
除非另有规定，凡贮存期已超过有效贮存期2 倍的元器件，不得进行第一次超期复验。
4.4 超过有效贮存期元器件的复验
4.4.1 复验批
凡在相同类别的贮存环境条件下存放的元器件，其型号、结构、额定值和电特性以及生产单位相同、贮存起始日期相近（不超过一星期），且为按4.3规定分类的相同类别，构成同一复验批。除非另有说明，以下的批均指复验
批。
4.4.2 复验元器件的失效分析
在复验过程中发现致命缺陷（功能失效）或严重缺陷的元器件，应进行失效分析，如果分析结果表明失效或缺陷为批次性的，则同一生产批的元器件不得用于航天产品正（试）样上。
4.4.3 复验后元器件的贮存
复验合格的元器件应在不低于原贮存的环境条件下继续存放。复验不合格的元器件应严格隔离。
4.4.4 复验报告和复验合格品的标志
承担复验任务的单位复验后应向委托单位提供复验报告，对元器件复验的结果作出结论。对复验合格的元器件应开具复验合格证，作为允许装机的凭证。当规定时应在复验合格的元器件上打上复验合格品的标志，以便区别于
未超期复验的元器件。
4.5 第二次超期复验
已经通过了第一次超期复验的合格元器件，如果其预定装机的时间将超过5.5规定的继续有效期，但不超过继续有效期的2.0倍，允许进行第二次超期复验。元器件第二次超期复验按超过继续有效期时间的长短分为A2、B2、C2
三类：
a） 贮存期已超过继续有效期，但未超过1.3 倍的为A2 类；
b） 贮存期已超过继续有效期1.3 倍，但未超过1.7 倍的为B2 类；
c） 贮存期已超过继续有效期1.7 倍，但未超过2.0 倍的为C2 类。
第二次超期复验元器件贮存期的起始日期为通过第一次超期复验的日期，其它参照4.2规定。
第二次超期复验的分类与第一次超期复验的分类虽有差别，但5.4规定的超期复验要求和5.5规定的继续有效期两者是一致的，所以在5.4和5.5中统一称为A、B、C类。
除非另有规定，通过第二次超期复验的元器件应在5.5规定的继续有效期内使用，超过此期限的元器件不允许在航天产品正（试）样上使用。
4.6 进口元器件有效贮存期及超期复验要求
进口元器件有效贮存期及超期复验要求参见附录A。
5 详细要求
5.1 基本有效贮存期
元器件的基本有效贮存期与元器件的品种、材料、结构和贮存的环境条件有关。根据表1对贮存条件的分类，分别规定不同种类元器件的基本有效贮存期。
5.1.1 半导体器件的基本有效贮存期
半导体器件的基本有效贮存期按表2规定。
表2 半导体器件的基本有效贮存期 单位：月
5.1.2 电阻器、电容器和电感器的基本有效贮存期
电阻器、电容器和电感器的基本有效贮存期按表3规定。
5.1.3 机电元件和其它元器件的基本有效贮存期
机电元件和其它元器件的基本有效贮存期按表4 规定。
5.2 贮存期调整系数
根据元器件不同的贮存质量等级和用途，对基本有效贮存期调整的系数cSA 如表5 所示。
表5 元器件贮存期调整系数cSA
元器件的用途以表5 中的使用级别来表征。凡是使用在重点工程或一般工程关键部位的为1 级使用，其贮存期调整系数以cSA1 表示；一般工程的非关键部位为2 级使用，使用其贮存期调整系数以cSA2 表示。
贮存期调整系数仅适用于有效贮存期的调整，对5.5 规定的继续有效期，不再按调整系数进行调整。
5.3 有效贮存期的计算
元器件的有效贮存期tVS 按公式（1）计算：
tVS＝cSA×tBVS —-（1）
式中：
tVS —— 元器件有效贮存期，单位为月；
cSA —— 元器件贮存期调整系数，使用在1 级应用场合用cSA1，使用在2 级应用场合用cSA2；
tBVS —— 元器件基本有效贮存期，单位为月。
以上计算得出的元器件有效贮存期仅供超期复验使用，不能取代元器件产品规范中规定的允许贮存
期，也不表明航天用户对元器件有效贮存期的要求。
5.4 元器件超期复验要求
5.4.1 A 类超期复验要求
5.4.1.1 外观质量检查
5.4.1.1.1 抽样方案
若无其它规定，除成盘的电线(含漆包线)、电缆外，其它元器件应全部检查。电线(含漆包线)及成盘的电缆应在起始端截去0.1m 后，再抽样110+0 m 作为样本进行检查；非成盘的
或长度不超过10m 的电缆可抽取长度10％作为样本进行检查。
5.4.1.1.2 检查方法及批不合格判据
用3～10 倍放大镜或显微镜对元器件进行外观检查。元器件引出端断裂或外壳脱落为致命缺陷；引出端锈蚀或表面损伤为严重缺陷；表面镀涂层脱落、起泡或标志模糊不清但不影响使用为轻缺陷。有这三种缺陷的元器件均为
不合格品，应予剔除。
如检查结果不合格的元器件的比例超过5%（或至少1 个，取大值），或致命缺陷和严重缺陷元器件的比例超过2%（或至少1 个，取大值），则整批元器件不得用于航天产品正（试）样上。
电线、电缆的外绝缘层或屏蔽层如果有老化变质或锈蚀等情况，应按5.4.3.3 进行破坏性物理分析（DPA），如果分析结果不合格，则整盘电线、电缆不得用于航天产品正（试）样上。漆包线如果有漆皮脱落或粘附力不强等缺
陷，则整盘漆包线不得用于航天产品正（试）样上。
5.4.1.2 电特性测试
5.4.1.2.1 抽样方案
若无其它规定，除成盘的电线(含漆包线)、电缆外，其它元器件应全部检查。
电线（含漆包线）及成盘的电缆应在起始端截去0.1m 后，再抽样1010+ m 作为样本进行检查；非成盘的或长度不超过10m 的电缆可抽取长度10％作为样本进行检查。
5.4.1.2.2 测试方法及批不合格判据
对于入库时已进行过电特性测试的元器件，应按入库测试的方法进行相同参数的测试。对于入库时未进行电特性测试的元器件，应按元器件相应的详细规范或产品手册测试功能和主要参数（电线、电缆一般仅要求测试绝缘电
阻和耐电压）。元器件丧失规定功能为致命缺陷；参数不符合规范要求（参数超差）为非致命缺陷。除非另有规定，测试仅要求在室温下进行。
如测试结果不合格的元器件的比例超过10%（或至少1 个，取大值），或其中致命缺陷元器件的比例超过3%（或至少1 个，取大值），则整批元器件不得用于航天产品正（试）样上。
电线（含漆包线）、电缆样本的电特性不合格，则整盘电线（含漆包线）、电缆不得用于航天产品正（试）样上。
5.4.1.3 密封性检查
5.4.1.3.1 抽样方案
对密封元器件应全部进行密封性检查。
5.4.1.3.2 检查方法及批不合格判据
按有关元器件的产品规范（总规范、详细规范）要求进行密封性检查；对于无适用产品规范的元器件，半导体分立器件按GJB 128A—1997 方法1071、半导体微电路按GJB 548A—1996 方法1014A、元件按以上计算得出的元器件
有效贮存期仅供超期复验使用，不能取代元器件产品规范中规定的允许贮存期，也不表明航天用户对元器件有效贮存期的要求。
5.4.1.3.2 检查方法及批不合格判据
按有关元器件的产品规范（总规范、详细规范）要求进行密封性检查；对于无适用产品规范的元器件，半导体分立器件按GJB 128A—1997 方法1071、半导体微电路按GJB 548A—1996 方法1014A、元件按GJB 360A—1996 方法
112 进行密封性检查；除非另有规定，对于非固体钽电容器可用pH 试纸进行检查，一般不要求进行真空检漏。
对于入库时已进行过密封性检查的元器件，复验总不合格品超过10%（或至少1 个，取大值）或粗检漏不合格品超过5%（或至少1 个，取大值）时，则整批不得用于航天产品正（试）样上；对于入库时未进行密封性检查的元器
件，复验总不合格品超过20%（或至少1 个，取大值）或粗检漏不合格品超过10%时（或至少1 个，取大值），则整批不得用于航天产品正（试）样上。
5.4.1.4 A 类超期复验的结论
通过5.4.1.1～5.4.1.3 检验的元器件，剔除不合格品后，其余元器件可作为合格品用于航天产品正（试）样上。
5.4.2 B 类超期复验要求
5.4.2.1 外观质量检查
按5.4.1.1 的要求进行外观质量检查。
5.4.2.2 电特性测试
按5.4.1.2 要求在室温下测试主要的电特性，适用时还应按产品规范要求在高、低温下测试元器件的电特性。对于入库时已进行过高、低温电特性测试的元器件，如果高、低温测试不合格元器件的比例超过7%（或至少1 个，
取大值），则整批元器件不得用于航天产品正（试）样上。对于入库时未进行过高、低温电特性测试的元器件，应按补充筛选（二次筛选）的要求进行高、低温测试。
其它电特性的批不合格判据同5.4.1.2.2 规定。
5.4.2.3 密封性检查
按5.4.1.3 规定。
5.4.2.4 烘箱老化及低温弯曲试验
对电线（含漆包线）、电缆应参照GJB 17.6 和GJB 17.21 的规定，分别抽样进行烘箱老化试验和低温弯曲试验。
5.4.2.5 引出端可焊性试验
引出端可焊性试验的样品应从外观质量检查合格的元器件中抽取，若无其它规定允许抽取电参数不合格的元器件作为样品。引出端可焊性试验要求按表6 的规定进行。
表6 引出端可焊性试验要求
5.4.2.6 B 类超期复验的结论
通过5.4.2.1～5.4.2.5 检验的元器件，剔除不合格品后，其余元器件可作为合格品用于航天产品正（试）样上。
5.4.3 C 类超期复验要求
5.4.3.1 通则
C 类超期元器件除按5.4.2.1～5.4.2.5 要求进行各项检验外，对部分元器件还应增加以下检验项目。
5.4.3.2 引出端强度试验
引出端强度试验的样品应从外观质量检查合格的元器件中抽取，若无其它规定允许抽取电参数不合格或已做过可焊性试验的元器件作为样品。引出端强度试验按表7 的规定进行。
表7 引出端强度试验要求
5.4.3.3 破坏性物理分析（DPA）
5.4.3.3.1 通则半导体器件、非固体钽电容器、密封电磁继电器、金属壳封装的石英谐振器和振荡器、电线（含漆包
线）进行C 类复验时，应抽样做破坏性物理分析（DPA）。当规定时其它元器件也应做破坏性物理分析（DPA）。
5.4.3.3.2 样本大小
除非另有规定，DPA 可用电特性不合格但未丧失功能的元器件作为样本。DPA 的最小样本大小及合格判定数见表8。
表8 破坏性物理分析最小样本大小及合格判定数
5.4.3.3.3 DPA 方法和批不合格判据
元器件DPA 方法按GJB 4027—2000 规定，也可按更严格和合理的方法进行DPA 试验。DPA 方法和缺陷判据除按GJB 4027—2000 或其它更严格和合理的规定外，特提出以下补充要求：
a） 除非另有规定，在超期复验中已做过GJB 4027—2000 规定的检验项目可不再进行。
b） 对半导体器件（分立器件及集成电路）、密封电磁继电器、石英谐振器、振荡器进行内部目检时，如果发现腐蚀等批次性失效模式，则整批不得用于航天产品正（试）样上。
c） 对非固体钽电容器进行内部目检时，当发现内壁有腐蚀孔或普遍腐蚀的现象，其深度达到外壳厚度的四分之一以上时，则整批不得用于航天产品正（试）样上。
d） 除非另有规定，玻璃管壳封装的元器件一般不要求解剖后进行DPA，对于透明外壳可用溶剂去除涂敷层后，用适当放大倍数的放大镜或显微镜检查其内部质量，当发现有腐蚀现象，则整批不得用于航天产品正(试)样上。
e） 将成盘的电线（含漆包线）、电缆的起始端截去0.1m 后，再截取1m 作为样品；非成盘的电缆按其长度的10％（或至少1m，取小值）作为样品。对于有外绝缘层或屏蔽套的电线、电缆，应剥开外绝缘体或屏蔽套，用适当
放大倍数的放大镜或显微镜观察其质量，当发现绝缘层或屏蔽套有腐蚀或生锈现象，则整盘电线、电缆不得用于航天产品正（试）样上。漆包线用放大倍数不低于10 倍的放大镜或显微镜观察其外表质量，并在漆包线样品的中
间部位用手弯折90°±5°（弯曲的曲率半径可取漆包线直径的4～5 倍），往返5 次。如果发现漆皮起皱、脱落或导体锈蚀等缺
陷，则整盘漆包线不得用于航天产品正（试）样上。用放大倍数不低于10 倍的放大镜或显微镜检查电线、电缆线芯，如果发现有氧化、锈蚀等情况，则整盘电线、电缆不得用于航天产品正（试）样上。
5.4.3.4 C 类超期复验的结论
通过5.4.2.1～5.4.2.5 和5.4.3.2、5.4.3.3 检验的元器件，剔除不合格品后，其余元器件可作为合格品用于航天产品正（试）样上。
5.5 超期复验后的继续有效期
超过有效贮存期的元器件，经超期复验（包括第二次超期复验）合格后，在不低于原贮存环境条件下存放，元器件的继续有效期分别见表9、表10 和表11。
表9 半导体器件的继续有效期
附 录 A
(资料性附录)
进口元器件有效贮存期及超期复验要求
A.1 贮存环境条件
下列进口元器件按表1 的Ⅰ类环境条件贮存。对于集成电路应尽可能在充氮、抽真空条件下存放。
A.2 质量情况
进口元器件应通过正常渠道采购，并经使用方验收合格。
A.3 有效贮存期及超期复验要求
满足A.1、A.2要求的进口元器件，其有效贮存期及超期复验要求按表A.1规定
本文中缺失的图，表，详见可靠性论坛贴子内的附件：GJB-Z123/QJ2227A(元器件有效贮存期及超期复验)
