EOS模拟试验 可靠性技术 可靠性试验 10年1月27日 编辑 simsmy 取消关注 关注 私信 公司有款产品在设计过程中有人提出对EOS进行一定的模拟,来提高抗EOS的能力。 如果是ESD我倒会做,但是EOS确实不知道。 产品介绍:是个TRANSCEIVER,有管脚的,需要对信号管脚和供电管脚进行EOS模拟 我现在看到一个标准时GB/T17626.4-1998电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验,不知道适不使用,那位达人指导一下,谢谢! 给TA打赏 共{{data.count}}人 人已打赏
hak596 lv2lv2 10年1月28日 EOS試過電壓或過電流造成的破壞,一般是在輸入端=>就IC解析燒毀現象會較明顯 ESD為靜電破壞再任何一支PIN腳皆會發生=>就IC解析燒毀現象為不明顯穿孔現象 EOS可以在輸入端加大電壓或電流去試試 不知這說明是否合理
simsmyA lv2lv2 10年1月28日 我今天又看了一下ADI对于EOS(Electricaloverstress)的说明: EOScoversabroadspectrumofevents,includingelectrostaticdischarge(ESD),latch-up,power-up/power-downtransients,andexcessiveDCcurrent/voltagelevels.ESDistypicallythemostcommonformofEOS,andconsequentlyitisthefocusofmuchofthischapter. 因为我们的产品对于芯片来说属于设备级,那么将EOS简单理解为ESD。对产品进行ESD阈值试验,可否?
fanweipin lv5lv5 10年1月27日 EOS是啥?过电应力,一般就是过压或是过流,造成IC烧坏.大都IC厂商做分析时都是这个结论,除非你自己有能力分析,或是舍得烧银子请第三方机构分析.否则还是只能接受现实. 电快速脉冲群不适用的,再考虑一下吧.
TRANSCEIVER是光收发合一模块,激光器发光,接收器收光
EOS是在输入端加入大电压或电流,但是相对正常电压增加多少才合适…
这个才是最重要的地方。
EOS試過電壓或過電流造成的破壞,一般是在輸入端=>就IC解析燒毀現象會較明顯
ESD為靜電破壞再任何一支PIN腳皆會發生=>就IC解析燒毀現象為不明顯穿孔現象
EOS可以在輸入端加大電壓或電流去試試
不知這說明是否合理
TRANSCEIVER不懂是啥,是类似激光器方面的么?
我今天又看了一下ADI对于EOS(Electricaloverstress)的说明:
EOScoversabroadspectrumofevents,includingelectrostaticdischarge(ESD),latch-up,power-up/power-downtransients,andexcessiveDCcurrent/voltagelevels.ESDistypicallythemostcommonformofEOS,andconsequentlyitisthefocusofmuchofthischapter.
因为我们的产品对于芯片来说属于设备级,那么将EOS简单理解为ESD。对产品进行ESD阈值试验,可否?
估计要把EOS的全名弄清楚,才好理解。。
EOS是啥?过电应力,一般就是过压或是过流,造成IC烧坏.大都IC厂商做分析时都是这个结论,除非你自己有能力分析,或是舍得烧银子请第三方机构分析.否则还是只能接受现实.
电快速脉冲群不适用的,再考虑一下吧.