随半导体产业朝更先进工艺发展之际，iST宜特科技材料分析检测技术再突破!iST宜特经过一整年的冲刺，检测技术至今年已突破10奈米制程，不仅协助多间客户在先进制程产品上完成TEM分析与验证，其技术能量更深获IEEE半导体组件故障分析领域权威组织IPFA (International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, 集成电路失效分析论坛)肯定，于会议期间发表最新研究成果。
宜特观察发现，近年来，企业为了打造效能更高、功耗更低、体积更小的半导体组件以满足现今智能产品之需求，各大厂在先进制程开发的脚步越来越快，已从去年20纳米，迈入今年的14纳米；其中包括台积电，英特尔，三星等大厂，更预计陆续于明年进入10纳米以下的量产阶段，因此带动整个供应链的TEM分析需求。
宜特进一步指出，继去年布建业界EDS元素分析能力最强的TEM设备，聘雇多位博士级的TEM专家，如国内顶尖TEM权威－鲍忠兴博士，经过一整年的冲刺，不仅产能大跃进，其检测分析能量更是从去年14纳米，向下突破至10纳米，更深获多间客户如LED磊晶厂、半导体设备厂与晶圆代工厂的肯定，检测产能满载，下半年持续扩产以因应客户需求。
宜特科技材料分析工程部经理 陈声宇博士表示，宜特材料分析技术能量有目共睹，更获得IPFA肯定，于本月举行的会议中，发表「利用高准确性的TEM/EDS技术分析先进NAND flash产品」之论文。此成果可应用于先进半导体工艺中介电层材料(dielectric layer)的分析之上。
左图：为韩系大厂最新垂直堆栈Flash内存(V-NAND)的TEM影像。
右图：为内存单元未受损伤的TEM/EDS分析结果。
此结果已发表于2015 IEEE研讨会。
陈声宇进一步指出，先进制程的介电层材料，往往脆弱而易在分析过程中遭受损伤，分析难度相当高。宜特运用业界最高规格的TEM/EDS机台，并充分优化实验参数，成功在介电层材料遭受损伤前，迅速完成讯号的收集，得到准确的元素分布信息，提供研发工程师改善制程时，最有力的依据。因此才能在短时间内，成为客户在研发阶段，提升开发竞争力的最佳伙伴。
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2015年7月iST宜特将LED、PCB、PCBA、系统可靠度验证分析服务，与欧商DEKRA合资成立德凯宜特公司，缔结双方在汽车、LED、医疗电子，领先世界检测验证与认证能量。
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