半导体领域可靠性，专业性强，慎入！LDMOST Gate Oxide Breakdown Predication
射频(RF)电源应用于各行各业，不仅仅针对无线基础设施、广播、工业、科学和医疗、航空航天和国防等主要传统市场，而还包括了新兴的RF 能源市场，比如固态烹调和等离子照明。其可靠性要求很高，寿命需要长达20年以上，而且要求在寿命周期内接近0失效。在研发设计阶段如何能准确评估其可靠性就显得尤为重要，非常荣幸能邀请到晶圆级可靠性专家陶国桥博士给大家分享基于RF电源模块在实际应用环境的可靠性预计。
RF Power amplifier often demands Zero-defect in application. However, it sees non-uniform stress during application. The time depend stress level depends on the input signals. This paper presents a way to predict the gate oxide lifetime, not only for the intrinsic oxide breakdown, but also for the extrinsic oxide breakdown. An appropriate gate oxide screening condition would enable the desired quality and reliability level.
作者简介：
陶国桥
荷兰安谱隆有限责任公司晶圆级可靠性专家
陶国桥先生于1982年毕业于南京大学物理系半导体物理专业。荷兰代尔夫特理工大学电子系博士。自2011年起至2016年7月就职于飞利浦照明，任首席质量工程师，专注于照明用的LED器件，模块及系统的可靠性。在加入飞利浦照明之前，他就职于荷兰飞利浦半导体/恩智浦半导体，专攻器件物理，工艺开发，及可靠性，特别是在先进的嵌入式Non-Volatile Memory技术。他现在是晶圆级可靠性专家，任职于荷兰安谱隆有限责任公司。他是Philips/NXP 2T-FNFN嵌入式快闪记忆体器件（flash device）的发明人。该技术被广泛应用于ID产品，包括银行卡、身份证、电子护照、交通卡，及NFC的应用芯片。他发表过70多篇论文，多次参与组织过业界顶级的学术会议――IEEE-IRPS(2005-2007)、IEEE-IIRW(2009)、IEEE-IPFA(2005)等。
