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【会议简介】
IPFA(International symposium on the physical & failure analysis of integrated circuits) 是全球有关半导体物理分析、失效分析及可靠性方面学术水平最高、规模最大、影响力最广的国际会议。该会议于1987年首次在新加坡召开，于2009年第一次在中国召开。今年，由IEEE可靠性/CPMT/ED新加坡分会、IEEE电子器件学会成都分会和电子科技大学联合承办的IPFA2017将于7月4日-7日在中国成都丽思卡尔顿酒店盛大召开。
本次会议将致力于对各种先进半导体器件失效分析物理机制的基本原理的理解、电子物理失效分析技术以及可用于准确识别造成这些器件失效的根本原因的方法和工具等。会议的主题将涵盖失效分析和可靠性方向的8个领域，由2位特邀嘉宾报告、6场专业培训讲座、19位嘉宾报告、50位报告者技术前沿分享、ISTFA2016 & ESTEF2016最佳论文交流、海报展示、展商分享、宴会庆典等多个板块构成。
【时间】2017年7月4日~2017年7月7日
【地点】成都丽思卡尔顿酒店
【主办单位】IEEE电子器件协会 、 IEEE可靠性协会、IEEE、电子科技大学、电子薄膜与器件国家重点实验室、模拟集成电路国家重点实验室、赛思库
【主题方向】
失效：
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样品制备、计量和缺陷表征
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芯片级/封装/系统级失效分析案例研究
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高级故障隔离技术
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高级物理失效分析技术
可靠性：
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前端（FEOL）可靠性
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后端（BEOL）可靠性
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封装级可靠性
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非易失性存储器（NVM）和非硅器件可靠性
【会议日程】
7月4日：可靠性和实效分析专业培训
7月5日：开幕式、主旨报告、交换论文、特邀报告、口头报告、展商展示
7月6日：邀请报告、口头报告、晚宴
7月7日：邀请报告、口头报告、展商展示、闭幕式
【会议费用】¥4550/人（IEEE成员专享价¥4200/人，学生专享价¥3150/人）
【报名方式】
点击文末“阅读原文”，提交报名表单
【联系人】
张进慧，18501358682
附：会议相关报告主题
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Keynote speaker 主旨报告 |
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Juin J. Liou Emoat, LLC |
Electrostatic Discharge (ESD) Protection in EmergingTechnologies: Challenges and Solutions 新兴科技中的静电放电（ESD）保护：挑战与解决方案 |
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Wei Lu Universityof Michigan |
Device variations and their effects on RRAM applications 器件误差及其在阻变存储器应用中的影响 |
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Tutorial speaker 培训报告 |
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Andrew Tay Singapore University of Technology and Design |
Thermomechanical Reliability of IC Packages and 3D ICs 集成电路封装和3D集成电路的热机械可靠性 |
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Tan Cher Ming Chang-Gung University |
Finite element analysis for the understanding of physics of failure in Microelectronics 对于微电子学中的物理失效的理解的有限元分析 |
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Kristof Croes IMEC |
BEOL reliability fundamentals 后端可靠性基础 |
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Mike Bruce The University of Texas |
Advanced Failure Isolation Techniques and Case Studies 高级故障隔离技术及其案例研究 |
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Mario Lanza Soochow University |
Conductive atomic force microscopy and its use in nanoelectronic device reliability 导电式原子力显微法及其在纳米电子器件可靠性中的应用 |
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Ben Kaczer IMEC |
The Defect-Centric Perspective of FEOL Reliability—From Individual Defects to Reliable Circuit Design 前端可靠性的缺陷中心视角——从个体缺陷到可靠的电路设计 |
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Invited speaker 邀请报告 |
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Sun Litao Southeast University |
Atomic-scale In-situ TEM Study on Sub-10nm Structures 对于亚10nm结构的原子尺度原位TEM研究 |
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CaoZhennian Huawei |
Applications and trends of material analysis in electron components failure analysis techniques 电子元件失效分析技术中材料分析的应用与趋势 |
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Francesco Puglisi UNIMORE |
Random Telegraph Noise: Measurement, Data Analysis, and Interpretation 随机电报噪声：测量、数据分析与解释 |
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Jian F. Zhang LJMU |
A reliable model for reliability prediction under real use conditions 一种基于实际使用条件的可靠性预测的可靠模型 |
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Enrico Zanoni UNIPD |
Time-dependent failure mechanisms of GaN power devices GaN功率器件的随时间而变的失效机理 |
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Zhou Xing NTU |
Multi-Trap Energy States in GaN HEMTs: Characterization and Modeling GaN高电子迁移率晶体管中的多陷阱能态：表征和建模 |
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Teruo Suzuki SOCIONEXT |
Correlating results of CDM between test element group and product level 测试式元件组和产品阶段之间的CDM结果相关 |
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Mingdou Ker NCTU |
ESD-Induced Latchup-Like Failure in a Touch Panel Control IC 触摸屏控制IC中的ESD诱发的类似闩锁效应的失效 |
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Andrea Padovani MDLab s.r.l. |
Multiscale Modeling of Defect-Related Phenomena in high-k ogic and Memory Devices 高K逻辑和存储器件中缺陷相关现象的多尺度建模 |
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Wu Xing East China Normal University |
Reliability study of intermetallic compound by using in-situ TEM annealing at atomic scale 通过使用原子尺度原位TEM退火对金属化合物的可靠性研究 |
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Mario Lanza Soochow University |
TiO2/SiOX bilayer insulating stacks for filamentary/distributed resistive switching 用于纤维/分布式电阻开关的TiO2/SiOX双层绝缘堆 |
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Hangbing Lv Chinese Academy of Sciences |
Development of high performance self-selective cell for 3D VRRAM architecture 用于三维 VRRAM结构的高性能自选单元的发展 |
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Chih-Hsun Chu Materials Analysis Technology Inc. |
Failure Analysis of IC Contains FinFET 应用了鳍式场效应晶体管的集成电路失效分析 |
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Heiko Lohrke Technische Universität Berlin |
Visible Light Techniques in the FinFET Era: Challenges, Threats and Opportunities FinFET时代的可见光技术：挑战、威胁与机遇 |
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P.J. Liao TSMC |
Circuit-based reliability consideration in FinFET technology 关于FinFET科技中基于电路的可靠性的思考 |
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Cheang Whang Chang Xilinx |
3D-IC FPGA Developments for High Yield and High Reliability 面向高产量高可靠性发展的三维集成电路中的FPGA |
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Andrew Tay Singapore University of Technology and Design |
Imaging Failures in Advanced MicroelectronicsDevices and Measuring Stresses in 3D Integrated Circuit Chips 先进微电子器件中的成像失效和三维集成电路芯片中的应力测量 |
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Kristof Croes IMEC |
3D-TSV reliability challenges 三维TSV面临的可靠性挑战 |
