【经典实用】各类电子元器件选型原则！（二）

一、电感选型

电感选型时考虑的因素如下：

1、体积大小；

2、电感值所在工作频率；

3、开关频率下的电感值为实际需要的电感值；

4、线圈的直流阻抗(DCR)越小越好；

5、工作电流应降额至额定饱和电流的0.7倍以下，额定rms电流；

6、交流阻抗(ESR)越小越好；

7、Q因子越大越好；

8、屏蔽类型：屏蔽式或非屏蔽式，优先选择屏蔽式；

9、工作频率和绕组电压不可降额。

二、二极管选型

二极管参数需降额使用，具体参考《GJB/Z 35元器件降额准则》

发光二极管：

1、发光二极管优选直径为5mm的插脚型号.贴片发光二极管优选选用有焊接框架的型号，ESD/MSL等级遵循上述的标准；

2、发光二极管优选有边、短脚的；为了保持公司产品的一致性，红发红、绿发绿等型号优选，白发红、白发绿等型号慎选；如果没有特殊要求，尽量不要使用长脚、无边的；

3、发光二极管优选品牌为“亿光”。

快恢复二极管：

1、低电压（耐压值200V以下）下，高时间特性时选肖特基二极管；

2、肖特基管热阻和电流都较大，优选分立式封装。通常3A以下可以选择SOD-123或D-64封装；3～8A可以选择D2－PAK封装；8A以上DO-201、TO-220、TO-3P；

3、在高电压时选择PIN结构快恢复二极管。

整流二极管：

1、主要考虑最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数；

2、开关电源整流、脉冲整流用整流二极管，宜选工作频率较高、反向恢复时间较短、或选快恢复二极管；

3、低电压、大电流时整流，选肖特基二极管；

4、 同电流等级优先选择反压最高的型号.如1A以下选用1N4007（M7），3A的选用IN5408。

肖特基二极管：

同电流档次的保留反压最高的等级，如：1N5819保留,1N5817禁选， SS14保留，SS12禁选;B340A保留。

稳压二极管：

1、稳定电压值应与应用电路的基准电压值相同；

2、最大稳定电流高于应用电路的最大负载电流50%左右；

3、稳压管在选型时务必注意器件功率的降额处理。实际功率应小于0.5×P；

4、功率在0.5W以下的型号选择贴片式封装，0.5W及以上选择直插式封装。

瞬态抑制二极管：

1、Vrmax（最大反向工作电压）≥正常工作电压；

2、Vcmax（最大钳位电压）≤最大允许安全电压。常规CMOS电路电源电压为3～18V，击穿电压为22V，则应选Vcmax为18～22V的TVS管；

3、Pp（瞬态脉冲功率的最大值）=最大峰值脉冲电流Ipmax与Vcmax。Pp大于被保护器件或线路的最大瞬态；

4、浪涌功率。

三、三极管选型

1、三极管选型时，以下几个参数必须考虑：

• ICM集电极最大允许电流 < 实际集电极电流，降额70%使用；

• BVCEO，基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压 > 电源电压 * 70%，有感电路降额使用，并加保护电路；

• PCM，集电极最大允许耗散功率，降额70%使用；

• Ft,特征频率 > 3倍实际工作频率；

2、小功率的三极管选用901X系列的9012，9013，9014以及8550,8050等；

3、开关用三极管可用NMOS管代替的，尽量用NMOS管代替，可用NMOS有：2N2002,IRF120N,IRF540N等。

四、晶体与晶振选型：

1、优选表贴封装晶体或晶振；

2、优选金属壳封装，电磁屏蔽特性好；

3、要求频率稳定度（温度稳定度）<15ppm时，优选温补晶振（TCXO）；

4、晶体物料通用技术要求：AT切（基频），12.5pF负载电容，温度范围-20～+70℃（工业温度等级），制造频偏30ppm，温漂50ppm/℃，无铅产品；

5、负载电容：对于内置振荡器的处理器，注意振荡器对晶体负载电容的要求，如STM32的RTC晶体，为6pf负载电容，不满足可能造成振荡器不起振或者频率偏差过大；

6、晶体和晶振品牌优选HOSONIC和EPSON；

7、晶体和晶振优选系列如下表：

查看“【中国商业航天“商”在哪里？】之人才篇！”输入0318

查看“【中国商业航天“商”在哪里？】盘点商业航天大事件！”输入0317

查看“关于华为：大公司是怎样进行元器件选型的？”输入0107

查看“华为是怎样开发硬件的？华为的硬件开发有何不同？”输入0105

查看“可靠性设计还不懂？看完这张攻略图就明白了”输入1215

查看“芯片里面几千万的晶体管是怎么实现的？”输入1214

查看“元器件储存器到底是如何计算的？”输入1112

CISSCOOL

点击下方阅读原文，体验最好用的元器件搜索引擎！