做探测器芯片，高温带电老化，一般的10G APD 光敏面φ30um，条件是175℃，100uA的电流，现在做大光敏面的APD 光敏面φ400um，如果再只供一个100uA的电流（100uA的电流得到的电压都是产品本身的正常工作电压），那么他的电流密度就小了100多倍（此时使用该老化条件是否已经达不到原有作用），但是因为是雪崩二极管，所以正常工作电压=击穿电压，此时电流增大电压变化值非常小，但是如果我们改变对应老化条件增大电流，此时的加速因子该怎么计算？
看了电压加速因子的计算，有些文献写小于10kA/cm2时，β取2，上面条件计算均小于10，此时老化条件不变，加速因子不变？
各位大佬有没有相关资料，还请帮忙，谢谢！
附产品I-V曲线图，参考黑线部分
学习学习
楼上的工具好强大
Eyring模型的一种型式，有电流的加速效应存在，看看能否用到上
这个计算小工具能分享下吗
有没有大佬指导一下，懵逼中