器件击穿电压与ESD HBM关系？ 可靠性技术 可靠性试验 20年12月21日 编辑 843406097 取消关注 关注 私信 请问看论文很多都在讲如何提高GaAs的击穿电压 ，但是很少有人提过如何提高抗ESD的能力，是因为后者可以用前者来进行表征是吗？ 给TA打赏 共{{data.count}}人 人已打赏
以HBM为例，假设我的器件击穿电压从200V提高到500V，那么器件的HBM耐受电压是否能够正相关提高呢？
坐等大神回复。