LED芯片失效点分析(OBIRCH+FIB+SEM)

OBIRCH

作为一种新型的高分辨率微观缺陷定位技术,能够在大范围内迅速准确地进行器件失效缺陷定位,基本上,只要有LED芯片异常的漏电,它都可以产生亮点出来。

原理:用激光束在通电恒压下的LED芯片表面进行扫描,激光束部分能量转化为热能,如果LED芯片存在缺陷点,缺陷处温度将无法迅速通过金属线传导散开,这将导致缺陷处温度累计升高,并进一步引起金属线电阻以及电流变化,通过变化区域与激光束扫描位置的对应,定位缺陷位置。该方法常用于LED芯片内部高阻抗及低阻抗分析,芯片漏电路径分析。

金鉴实验室LED芯片失效点分析(Obirch+FIB+SEM)检测报告!

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