失效率问题请教！
最近公司产品要开展安全认证（IEC61508），要使用FMEDA工具，涉及到失效率问题，请教高人：Q1：可靠性预计中的基本失效率数据是怎么得来的？是企业的失效情况统计吗？还是做试验，根据MTBF=2T/X2(a,2r+2)等算出来的？我觉得应该是后者。
Q2：一些半导体厂家和LCR厂家，给出了试验算出的失效率，这个应该属于基本失效率吧？因为我看他们的试验是温度循环，应该没有考虑环境及电应力等了。
Q3：FMEDA里面的失效率，都是FITS级的，明显属于基本失效率，为何不考虑工作失效率啊？ 一些问题我已经有答案了，只是想想大家相互交流一下了！ 楼主既然已有答案,那我也简单来聊几句吧.抛砖引玉一下,希望有高手一起来探讨:
Q1：可靠性预计中的基本失效率数据是怎么得来的？是企业的失效情况统计吗？还是做试验，根据MTBF=2T/X2(a,2r+2)等算出来的？我觉得应该是后者。
MTBF=2T/X2(a,2r+2)根据这个公式计算出来的,应该是整个产品,单个器件没法计算的,所以可靠性预计中的基本失效率,我认为应该是器件的失效情况统计,如BELLCORE等实验室的数据,当然如华为自己也有统计数据.前者可以花美刀买得到.
Q2：一些半导体厂家和LCR厂家，给出了试验算出的失效率，这个应该属于基本失效率吧？因为我看他们的试验是温度循环，应该没有考虑环境及电应力等了。
LCR厂家很少给出失效率,倒是国外的半导体的一些datasheet经常看到失效率,这些失效率基本不会给出计算方法,楼主看到的试验温度循环等试验,应该是其它的介绍,不会是失效率里相关的数据吧.环境及电应力因为厂家无法给出器件实际使用情况,可能会用50%的电应力,40度温度的如计数法得出的失效率.
Q3：FMEDA
FMEDA这个不熟,安全那块不擅长... 谢谢发哥回复!
从我看ONSEMI的可靠性参数，如1N4001，他们是做试验算出FITS的，但是具体怎么算倒是不知道了。
温度循环试验是我看VISHAY的1N4001给出的试验数据，上面只写明77个，0个失效了。
一些半导体FITS不少是试验算出来的
LCR在TDK、VISHAY的一些高可靠性器件里面还是有的，但是确实是很多厂家是没有的。 元器件的基本失效率是根据元器件本身失效试验得出？在什么应力下计算得出的？ 应该是几种应力试验下失效率的总和，还在找厂家求证中。 MIL-HDBK-217F中文版第21页里介绍:
λb是基本失效率,通常以施加在该器件上的电应力和温度应力对该器件失效率影响的关系模型来表示;
所以说基本失效率λb，是与电热应力有关的，但具体怎么选取，暂时还没看到介绍。 管理说的才是关键，失效率必须要先谈的是你选择的失效模型，比如299217我理解是这样的，
厂家一般提供MTBF都会说依据什么标准来算出来的多少小时～
GB 1772-79电子元器件失效率试验方法.pdf
看看附件吧，虽然后老了！GB_1772-79电子元器件失效率试验方法.pdf
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