rogerchen 发表于 2014-1-5 20:24:52

EMC 测试的问题

最近遇到一个问题，产品做完雷击（pass）后再做辐射，发现辐射测试过不了，但雷击之前是可以pass的，有两种观点：雷击属于破坏性测试，样品做完这个测试后不应该再做别的测试，第二种观点认为雷击后产品应该可以通过所有的测试，请问哪种观点正确？

s3070448126 发表于 2014-1-6 08:53:03

个人觉得第二种,产品设计有防雷击能力,说明雷击后产品一切都应该OK的.

xingxing58 发表于 2014-1-6 10:10:13

同意楼上观点。。。第一种观点做完雷击后无法保证产品的其他性能是否OK

rogerchen 发表于 2014-1-6 21:27:46

我咨询了下权威的实验室，答案模棱两可，看来只能将Emission和Immunity用不同的样机来测试了。

ysw20757007 发表于 2014-1-7 10:49:35

我没有做过EMC方面的测试，但是凭感觉（交流下而已）应该是第一种，因为雷击只是保证样品在雷击后不被伤到用户而不是保护样品，如果样品在寿命末期，你依然要求雷击以后能继续工作，是否研发跟生产的成本会过高？
外行仅发表下自己观点而已，呵呵

Xyberry 发表于 2014-1-8 08:29:18

不知道是什么样的产品呢？我还真没有碰到过这种情况。就电源类产品来讲的话，surge过后不会出现RE不良，要么直接保护，要么线路零件有损坏。按常理来讲，surge过后产品性能肯定是要保证OK。同意第二观点。问题的关键是再确认分析找到产品NG的原因。

rogerchen 发表于 2014-1-8 23:15:53

是电源产品，surge过后RE会比surge前高几个db，surge可能会损伤电容，有过类似的经验。

panqunyang 发表于 2014-1-9 17:39:16

rogerchen发表于2014-1-823:15static/image/common/back.gif
是电源产品，surge过后RE会比surge前高几个db，surge可能会损伤电容，有过类似的经验。

我觉得你的surge过了应该不影响RE的。EMC的影响因素太多了，你的高几个db，产品摆放距离，位置，线之类的都有可能。
surge打坏去耦电容吗？surge能量那么大，要是打到板子很可能芯片都打坏了。
什么电源产品啊？电源频率一般挺低啊，传导问题多些啊。
还得看你高几个db的频点啊？
只能凭空说说了。

tim 发表于 2014-1-13 23:35:30

打完雷击后再做其他实验一般换防雷器件，如果换了性能下降，有条件的话可以再个样品做同样实验，看是否是偶然性还是有共性，如果真是打雷后性能下降，那要重新评估产品性能了

rogerchen 发表于 2014-1-14 22:16:27

tim发表于2014-1-1323:35static/image/common/back.gif
打完雷击后再做其他实验一般换防雷器件，如果换了性能下降，有条件的话可以再个样品做同样实验，看是否是偶...

觉得有道理
页: [1] 2
查看完整版本: EMC 测试的问题