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发表于 2014-8-10 08:15:57
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下面是我司(电子元器件)的试验条件,但也不知道采用是哪个标准,哪位朋友知道请指点一下?
0、高温实验:125℃0%96H
1、低温实验:-40℃0%96H
2、高温高湿实验:60℃90%96H有时加载偏流
3、耐高温实验:85℃0%96H有时候加载偏流
4、冷热冲击实验:125℃预温区140℃30min室温5min低温-40℃预温-50℃30min循环100次。
5、振动实验:频率10~55~10HZ,振幅1~2MM,时间:1H。
6、跌落实验:高度:1M六个面、XYZ轴线棱、角各一次,共10次。
7、推拉力测试:施加500gf的力10s,观察是否紧致不松动。
8、IRReflow:观察样品上锡效果,及其是否core裂。
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