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MIL-217 EXCEL整理_1
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| MIL-217 EXCEL整理，将近花了两周 终于全部搞完，不过还需要小修一下 6.4 低频硅场效应（SiFET）晶体管 |
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| λp=λb*πT*πA*πQ*πE= | 0.00747837 | ||||||||||||
| λb1= | 0.01200 | ；MOS场效应管 | |||||||||||
| λb2= | 0.00450 | ；结型场效应管 | |||||||||||
| πT= | exp((-1925)*(1/(T1+273)-1/298)) = | 0.989202 | ；温度系数 | ||||||||||
| πA= | 0.700 | ||||||||||||
| πQ= | 2.4 | ||||||||||||
| πE= | 1.0 | ||||||||||||
| 1)规格值: | θ1c= | 10 | ；热阻(℃/W) | ||||||||||
| 2)测试值: | T= | 35 | ；环境温度（℃） | ||||||||||
| OP Vr= | 5 | ；反向工作电压（V） | |||||||||||
| Ir= | 0.010 | ；反向电流（A） | |||||||||||
| TC= | 60.0 | ；壳温（℃） | |||||||||||
| 3)中间值: | T1= | TC+θ1c*Pr= | 60.50 | ；结温（℃） | |||||||||
| Pr= | OP Vr * Ir = | 0.05 | ；功耗（W） | ||||||||||
| 表一：温度系数 | 表五:额定功率系数 | 表四:运用系数 | |||||||||||
| T1(℃) | πT | T1(℃) | πT | 额定功率Pr(W) | πR | 额定功率Pr(W) | πR | 运用状态(Pr额定输出功率) | πA | ||||
| 25 | 1.0 | 150 | 6.7 | Pr<=0.1 | 0.43 | Pr=10 | 2.3 | 线性放大(Pr<2W) | 1.5 | ||||
| 30 | 1.1 | 155 | 7.1 | Pr=0.5 | 0.77 | Pr=50 | 4.3 | 小信号开关 | 0.70 | ||||
| 35 | 1.2 | 160 | 7.5 | Pr=1.0 | 1.0 | Pr=100 | 5.5 | 功率场效应管（非线性） | |||||
| 40 | 1.4 | 165 | 7.9 | Pr=5.0 | 1.8 | Pr=500 | 10.0 | 2<=Pr<5W | 2.0 | ||||
| 45 | 1.5 | 170 | 8.3 | πR=0.43 ；额定功率<=0.1W | 5<=Pr<50W | 4.0 | |||||||
| 50 | 1.6 | 175 | 8.7 | πR=(Pr)^0.37 ；额定功率>0.1W | 50<=Pr<250W | 8.0 | |||||||
| πT=exp((-1925)*(1/(T1+273)-1/298)) | 250<=Pr | 10.0 | |||||||||||
| 表二 | 表三 | 表六:电压应力系数 | |||||||||||
| 环境 | πE | 环境 | πE | 质量等级 | πQ | 运用Vce/额定Vceo | πS | 运用Vce/额定Vceo | πS | ||||
| GB | 1.0 | AUC | 20.0 | 0<Vs<=0.3 | 0.11 | 0.6<Vs<=0.7 | 0.39 | ||||||
| GF | 6.0 | AUF | 43.0 | 超军级 | 0.7 | 0.4<Vs<=0.4 | 0.16 | 0.7<Vs<=0.8 | 0.54 | ||||
| GM | 9.0 | ARW | 24.0 | 特军 | 1.0 | 0.4<Vs<=0.5 | 0.21 | 0.8<Vs<=0.9 | 0.73 | ||||
| NS | 9.0 | SF | 0.5 | 军用 | 2.4 | 0.5<Vs<=0.6 | 0.29 | 0.9<Vs<=0.10 | 1.00 | ||||
| NU | 19.0 | MF | 14.0 | 低档 | 5.5 | πS=0.045*exp(3.1*Vs); (0<Vs<=1.0) | |||||||
| AIC | 13.0 | ML | 32.0 | 塑封 | 8.0 | - | Vceo=基极开路时收集到发射极的电压 | ||||||
| AIF | 29.0 | CL | 320.0 | ||||||||||
发表评论 评论 (2 个评论)
- 回复 jamesstudy001
- 多谢，我有看过三个版本的MIL-217 EXCEL,但好像都不是最近更新的。
计算方法比较rough，同类型的计算公式都在混用，参数取值也不是很合理。没有体现MIL-217的精髓所在。
我整理的应该让初学者或中等水平的能理解，通过这个对所有元件及其不同子类型的失效率的计算，明白元件重要参数，演变到电路设计模块的失效率，更多的是反过来指导RD做设计选型，长时间品质的可靠性保障！
还望多指点，交流！
