-
可靠性元器件降额设计_MOSFET降额设计
上篇分享了双极型三极管（Bipolar Junction Transistor）的降额案例，这篇继续分享下常用的场效应管（MOSFET）的降额分析，依旧采用IPC9592的降额规范，截图如下。 注意:发现IPC9592已经更新到了2012版本，之前用的一直是2007年的版本做的降额示例，今天开始更新下。 由图可知，降额要求如下： 1) 击穿电压VDS（Drain-Source Brea…- 1.7k
- 0
-
￥优惠劵使用时效：无法使用使用时效：
之前
使用时效：永久有效优惠劵ID：×