这篇是讲测试夹具对测试的影响,讲到测试的细节了.可以参靠一下.
功率裸芯片的测试与老化筛选技术
《广东工业大学》刘林春
【摘要】：功率裸芯片广泛应用于汽车电子、家电等电子系统的功率模块,确保所使用的裸芯片具有高度的可靠性是提高产品成品率的关键。为了提高功率裸芯片的质量与可靠性,本文主要研究了功率裸芯片的测试与老化筛选技术。针对功率裸芯片测试与老化筛选时具有的大电流、高温度的特点,本文改进了原用于常规裸芯片的临时封装夹具系统,并进行了可靠性验证分析。试验结果发现:1)采用新型衬底的夹具系统接触电阻明显减少,大尺寸多凸点的新型衬底设计与原衬底相比接触电阻平均减少了40%,即大大减少了衬底凸点与芯片电极之间的散热量;2)夹具采用铜质盖板代替塑料盖板,加强了夹具系统的散热能力,其耐受电流能力从不到2.5A提高到3A以上;3)通过分析接触压力对接触电阻的影响并结合接触对裸芯片电极造成的损伤情况,确定了合适的接触压力,使其能在裸芯片与衬底之间实现可靠电连接的前提下达到微损伤的目的。试验结果表明,改进后夹具系统的散热能力、耐电流能力都有了明显的改善,抗冲击能力也得到了提高。在完成夹具系统的改进工作之后,通过研究功率裸芯片的失效机理,确定了功率裸芯片可靠性试验的筛选项目、筛选应力条件,并拟定了筛选程序。在筛选方法中,电功率老化是功率裸芯片可靠性试验最重要的方法,为防止在电功率老化过程中出现应力不足或者过应力失效,通过深入研究结温的测量与控制技术,指出了常用的线性近似法的不足之处,提出了适合功率裸芯片的测结温方法。最后,通过峰值结温法完成了老化筛选功率裸芯片,并通过探针测试对试验结果进行了验证。在准确测量和控制结温的基础上,功率裸芯片的电功率老化筛选有两种实现方案,除本文给出的峰值结温老化筛选法以外,还可以考虑采用满功率连续脉冲老化筛选法,这也是今后进一步研究的课题。
【关键词】：功率裸芯片已知良好芯片夹具老化可靠性
【学位授予单位】：广东工业大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2008
【分类号】：TN407
【DOI】：CNKI:CDMD:2.2008.083670
【目录】：摘要4-5Abstract5-11第一章绪论11-171.1本课题的研究背景与实际意义11-131.2国内外KGD技术研究情况13-151.2.1国外KGD技术的发展情况13-141.2.2国内该领域研究现状14-151.3本课题的来源、主要研究内容及章节安排15-161.4本章小结16-17第二章功率裸芯片临时封装系统的可靠性验证分析17-492.1临时封装夹具系统介绍17-182.2微损伤电接触的可靠性分析与验证18-352.2.1影响接触电阻的因素19-202.2.2接触电阻的测试方法20-212.2.3实验衬底介绍21-252.2.4实验内容252.2.5实验结果及分析25-352.3金属凸点与芯片电极硬接触条件下耐受电流能力分析35-432.3.1不同衬底类型的耐受电流能力分析36-412.3.2铜质盖板夹具耐电流能力的改善41-422.3.3耐受电流能力分析总结42-432.4装有裸芯片的夹具系统抗冲击能力分析43-462.5本章总结46-49第三章功率裸芯片的质量与可靠性保障技术49-633.1引言49-503.2半导体器件及芯片的主要失效机理50-513.3适合功率裸芯片的筛选方法51-543.4通过结温控制实现老化筛选功率裸芯片54-593.4.1电功率老化筛选功率裸芯片难点54-553.4.2通过温敏参数间接测量功率管的结温55-563.4.3线性近似法测结温存在的问题及其改进方法56-583.4.4连续脉冲满功率老化筛选58-593.4.5峰值结温功率老化筛选593.5功率裸芯片的可靠性筛选试验59-623.5.1筛选试验项目的确定59-603.5.2筛选应力条件和时间的确定60-613.5.3功率裸芯片筛选程序与筛选条件61-623.5.4失效判据的确定623.6本章小结62-63第四章功率裸芯片的可靠性筛选试验及结果分析63-754.1试验说明63-644.2试验结果与分析64-744.2.1试验前电参数测试64-664.2.2功率老化前各项试验664.2.3峰值结温功率老化试验66-724.2.4老化试验后电参数测试72-734.2.5探针测试对试验结果的检验734.2.6试验结束后裸芯片镜检及衬底形貌检查73-744.3本章小结74-75结论75-77攻读学位期间发表的论文77-81致谢81-83参考文献83-85 |
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发表于 2009-2-24 11:30:19
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