以前只会做，看来还要为啥做。
汗那。
常温下时间 是怎么 计算出来的
Ttest=A*MTBF(A=0.5*CHIINV(1-0.9,2*2)=3.89)对上面的计算常温下的试验时间的方法不是很理解，希望高手解释 :'(太感谢了！ :handshake不错受教了:loveliness: 请问电应力有没有加速的概念，比如说额定电压为220V，电压波动为±10%，如果我选额定电压220V，电压波动为±20%，属于加速吗？加速系数有无计算公式？
微电路电压加速因子。以前整理的，请参考！
1、温度-湿度效应Hallberg-peckAF=(RHt/Rhu)^3*exp[(Ea/k)*(1/Tu-1/Tt)]
2、温度效应ArrheniusModel
AF=exp{(Ea/k)*[(1/Tu)-(1/Ts)]}
3、微电路电压加速因子
Afv=exp(β*(Vt-Vu))
Vu=使用电压
Vt=测试电压
β=电压加速度常数(经验值得出)
关于一些加速模型的整理已上传附件，请参考：
http://www.kekaoxing.com/club/thread-3897-1-1.html Ttest=A*MTBF(A=0.5*CHIINV(1-0.9,2*2)=3.89)
对此公式不理解，请教各位高手指点
谢谢 若允许1次失效，则在90%的置信度下，需要测试的时间为Ttest=A*MTBF(A=0.5*CHIINV(1-0.9,2*2)=3.89)
不明白公式的意思 原帖由purplesapple于2008-8-2610:16发表http://www.kekaoxing.com/club/images/common/back.gif
Ttest=A*MTBF(A=0.5*CHIINV(1-0.9,2*2)=3.89)
对此公式不理解，请教各位高手指点
谢谢
首先需要说明，这个公式仅仅是在假定指数分布成立的前提下，利用卡方逼近(chi-square)来计算截尾测试的所需时间；
所谓的卡方逼近，就是指为了看到r=1个失效的测试时间乘2近似服从2(r+1)卡方分布；
另外，Ea=0.8ev也是通用公司对consumerelectronics的常规取值。一般来说，电子产品的Ea可以在0.5到1.2范围内。
还有，本文章用的Arrheniusmodel并不是真正的Arrheniusmodel，而是Hallberg-peck模型。原始的Arrhenius不涉及相对湿度问题。
[本帖最后由ALT于2008-8-3104:25编辑] 原帖由usualvip于2008-8-2522:56发表http://www.kekaoxing.com/club/images/common/back.gif
请问电应力有没有加速的概念，比如说额定电压为220V，电压波动为±10%，如果我选额定电压220V，电压波动为±20%，属于加速吗？加速系数有无计算公式？
对于这个问题，没有所谓的加速系数。它取决于你这个元器件自身的情况。
至于20%算不算加速，首先要看实际应用中可能的电压波动在多大，然后需要判定电压波动造成的失效模式是什么。在20%波动的情况下是否依然产生同样的失效模式；
更关键的是，该产品在工作中的主要失效是因为电压波动造成了吗？如果不是，这个试验就没有什么意义了；而且我想低压和高压造成的失效也会有所差别。