MTBF计算问题:Flash在relex的分类
flash的失效率在温升40摄氏度的时候失效率超级大在relex选型memory选PROM,EPROM这样对吗 就是不同的Flash存储器类型选择。看看datasheet就可以了。 IC失效主要因素还是温度，所以降额设计比较关键，温度也是造成是失效率增大的主要原因！ admin发表于2012-8-1118:00static/image/common/back.gif
就是不同的Flash存储器类型选择了。看看datasheet就发了。
我们公司用的都是一类型的flash
例如：NANDFlash,1Gbits,2.7~3.6V,TSOP48,43nm,TC58NVG0S3ETA00,TOSHIBA
memory选项里只有DRAM、EAPROM、ROM、UVEPROM、SRAM、PROM,EPROM
就这几种不知道选哪个失效率都太高了。
maomao发表于2012-8-1310:42static/image/common/back.gif
IC失效主要因素还是温度，所以降额设计比较关键，温度也是造成是失效率增大的主要原因！
flash如何降额啊。。。这个都是设定好工作电压的吧。
温度方面温升40室温下才65摄氏度失效率超级高。不知道如何选relex里的类型 本帖最后由maomao于2012-8-1409:08编辑
储存器是存储大量二进制信息的半导体，是数字电路，按照《GJB/Z35元器件降额准则》要求，结温降额设计三级要求为115度，我们一般按照二级要求为100度。其中结温的计算公式有：
结温=壳温+热阻*功耗
按照你们器件的使用，室温下温度为65，估计器件的壳温可达80（可用温度检测仪测量器件的壳体温度），如果热阻为４０度（查器件资料），功耗为2W（根据产品实际使用计算）。那么器件的结温为：
结温=80+40*2=160度。
远远超多了降额设计要求，这样的元器件在长期间的试使用下，肯定失效，所以失效率高是肯定的！
一般选择FLASH时，必须考虑好FLASH的功耗，温升及壳体温度，针对这几个指标来选用。当无法选用时，必须考虑好产品的环境温度（散热），所以热设计对产品的影响也比较大。当都无法考虑时，是否应该考虑器件的质量等级，采用军筛或者军品以上的！
以上仅供参考，希望对您有作用！！！
maomao发表于2012-8-1409:07static/image/common/back.gif
储存器是存储大量二进制信息的半导体，是数字电路，按照《GJB/Z35元器件降额准则》要求，结温降额设计三级...
我们公司使用的是relex软件
关注的只有flash存储大小和flash的温升
其他参数已经设置好的质量等级也设置为leveltwo
如上图就是选择类型应该选哪个 你使用的是美国的RELEX软件，我是用的五所的CARMES软件，我看了你们软件里面没有器件的类型那里没有FLASH这个类型。
按照GJB299C。FLASH可以和EEPROM归在一类。因为他们都是可编程，可擦除（我查看了你们这个器件的资料：有100，000program/EraseCycles说明这个器件也是可编程可擦除的！）
你发的这张图里面不单单要写类型，质量等级，温升，还有DeratingParameters这个参数，这里就是降额设计参数，里面关键的也是温度的降额。所以你在做这个器件的降额设计的使用，要考虑好选用的问题！！！
你发现是效率高，说明这个器件的选用存在问题。是否应该选择质量等级高的器件？？是否更改电路设计（散热）？等等！！！
这也是开展可靠性预计的关键所以，不单单可以算出MTBF，也可以发现生产出现的问题，在研发阶段加以改进！提高产品质量与可靠性！ 哪个版本的Relex呀，界面不一样呢，呵呵 使用什么软件都没有什么问题的，主要的是标准及方法！
我用的是五所开发的可靠性预计软件CARMES5.0,其他的我没有用过！
上面的说法有没有对你有帮助？