adun 发表于 2007-10-17 06:28:06

资料： 集成电路中电迁移分析

一篇小分析文章

Advancesinintegratedcircuitfabricationtechnologyoverthepasttwo
decadeshaveresultedinintegratedcircuitswithsmallerdevicedimensionsand
largerareaandcomplexity.Thisevolutionoftechnologyhighlightselectromigration
asamajorreliabilityprobleminsiliconVLSIcircuits.Emphasisis
placedonthescopeanddetailoftheelectromigrationteststructures
themselves,andontheanalysisofelectromigrationeffectswithinvarioustypes
ofaluminumteststructures.

passway 发表于 2007-10-17 08:37:27

呵呵！忙得没时间看英文了，如果能翻译成中文就再好不过

adun 发表于 2007-10-18 00:58:13

我在外边，也在着一些中文的有关可靠性的文章，搜索到了这个网页。很高兴。但我手头资料有限，只能贴一些英文的，还望包涵！

jc_wang 发表于 2007-10-30 10:56:51

虽然是英文的不过还是很感谢楼主

skulker008 发表于 2012-4-4 12:10:42

学习了，感谢楼主
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