激活能Ea如何取值?(附微电子器件失效激活能快速评价法)
我想做一个电源监控芯片的加速试验,要计算测试时间,但不知道Ea的取值,希望大家给予指导~不胜感激18楼附:
微电子器件失效激活能快速评价法.pdf(398.84KB) 失效模式 失效机理 激活能(eV)
阈值电压漂移 离子性(SiO2中的钠离子漂移) 1.0~1.4
阈值电压漂移 离子性(Si-SiO2界面的低阻挡层)1.0
漏电流增加 形成反型层(MOS器件) 0.8~1.4
漏电流增加 隧道效应(二极管) 0.5
电流增益下降 因水分加速离子移动 0.8
开路 铝的腐蚀 0.6~0.9
开路 铝的电迁移 0.6
短路 氧化膜击穿0.3 用于加速模拟寿命试验的Ea值,一般国际大厂使用0.7eV,也有保守的使用0.6eV。
这些数据可以在这些厂商的网站上取得,一般在〈质量和可靠性手册〉中。
这些数据的取得,当然要试验后取得,也可以直接引用。
关于你的案例(电源监控芯片),也可以要求芯片流片厂提供。 感谢SUNJJ! 一般电子类产品我们公司的EA取值都取0.67eV.不知道有更加科学的取值方法没?谢谢 不建议用参考值,还是要自己设计实验做出实验值的 半導體會參考MIL-HDBK-217的0.43ev 我们目前用0.7ev,等积累足够数据后再推算自己产品的ev 最准确就是先做实验知道产品的寿命,在用模型返回来求Ea 有没有EA的相关选取的列表可以共享下