heavenfish56 发表于 2009-5-19 20:37:10

求MOS管失效的物理模型

看了许多文献，有的说Vth变化10mv，有的说gm变化10%，有的说Id变化，可以衡量MOS管失效。但是工作在开关区的MOS管，给选那个参数作为失效判据呢！急的啊，时间已经不多了！请大家帮帮忙啊！
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