设为首页收藏本站博客

切换到宽版

可靠性网»可靠性论坛(旧) › 可靠性技术交流 › 新手课堂与求助天地 › 求MOS管失效的物理模型

返回列表发新帖

查看: 2235|回复: 0

求MOS管失效的物理模型

发表于 2009-5-19 20:37:10 | 显示全部楼层 |阅读模式

看了许多文献，有的说Vth变化10mv，有的说gm变化10%，有的说Id变化，可以衡量MOS管失效。但是工作在开关区的MOS管，给选那个参数作为失效判据呢！急的啊，时间已经不多了！请大家帮帮忙啊！

回复

使用道具举报

返回列表发新帖

|Archiver|手机版|小黑屋|可靠性网 ( 粤ICP备14066057号 )

GMT+8, 2025-4-20 21:51

Powered by Discuz! X3.5

© 2001-2023 Discuz! Team.

快速回复 返回顶部 返回列表