求助失效率模型与降额准则的确定

xiangbao03

最近在看GJB/Z35－93元器件降额准则时，附录A中：
A1：晶体管的失效率模型
晶体管基本失效率λb模型



式中：A------失效率换算系数；
e------自然对数底，2.718；
Nt,P------器件中的形状参数；
Tjm------最高允许结温（0功率点），℃；
T------工作温度（环境或壳温），℃；
△T------Tjm与额定功率点最高允许温度之差，℃；
S------应力比或降额因子。
1.现在不知道晶体管的基本失效率λb这个公式是怎么来的？查了好多的资料也找不到。
2.上面只列出了晶体管的基本失效率模型，那么如光电器件，电容器也应该有相应的失效模型，现在不知道这些模型是怎样的？在查阅
GJB/299C－2006电子设备可靠性预计手册,也不能找到类似晶体管的基本失效率λb模型。
现希望有高人能够解答一下，不胜感激!

于新昌

这些公式只要使用就行了，推导的公式应该是有，刚找了一会，没找到。

wu8295

一点点认识，欢迎拍砖~
一般这种公式多是由一些公立机构如军方，协会实测的数据，像G299，MIL-STD217等为什么一直被诟病，也主要是由于这些机构实测的数据把它处理为模型，但是由于实际使用中的各种因素（2者的使用环境相差较大等原因），误差往往很大。如果你有兴趣可以去查查半导体的失效机理，那里会有一些专门的模型解说如TDDB等，会帮助你理解这些。

salemz

同意樓上的實測的數據和理論推出的模型還是不一樣的