容差分析技术交流

lixiong198417

这是我两年前写的一份容差分析的学习心得。
文章主要参考了国军标、最坏情况分析（易瑞来殷志文前辈所做）、某公司的Worstcase分析。
对主要电路的容差分析有一些的帮助，但是作用没有想象中的大。
请问论坛中有没有对这部分比较了解朋友，能否说说你们是如何开展容差分析的。

Jack315

用DFSS的方法，效果就会好得多了。

lixiong198417

我想我文中所写的方法应用了一定的DFSS的理论。不知您说DFSS的方法是具体指那些？
能否说明一下，谢谢指点。
我之前想用Pspice电路仿真进行容差分析，但是后来如果要做到真实可靠，就得对器件库中的大部分进行详细的建模。而用过Pspice的人应该知道对器件库进行详细建模需要公司级的支持，仅凭个人是无法完成的。
后来就想用这种折中的方法，采用节点电压法结合蒙特卡洛进行分析。但是蒙特卡洛的参数分布有些是不可知的，虽然有些器件的基本公差是正态分布，但并不是所有的器件都能满足正态分布，因此有时候某些器件只能假设为平均分布去计算，这样一来就感觉分析结果并不完全可信（可能有点偏执）。

admin

回复1#lixiong198417


很不错的文章，感谢楼主的原创。本贴设为精华。并加入了相关标签，点击顶楼标签，会有理多相关容差分析的贴子。希望更多的朋友参于交流讨论。

现在比较少见到像楼主这么用心的去钻研了。

容差分析我们以前也简单做过一下，主要还是用最坏情况分析法进行分析。
这个相对简单，论坛也有相关贴子。


另外15/16页里有：元器件最坏情况参数库.xls，minitab软件文件，希望也分享一下。谢谢。

Jack315

回复3#lixiong198417

问题的关键是传递函数（模型）的准确程度。纯电阻网络的传递函数相对准确一些（对低频而言），但实际电路远比纯电阻网络复杂，即使用PSpice仿真也很难得到与实际高度相符的结果，因为PSpice里元器件的模型也和实际有一定的误差。

在实际设计中需要通过测量用DOE的方法来得到有一定精度的传递函数（模型）。根据这个模型来做容差分析、蒙特卡洛分析以及优化等就会有理想的结果了。

yangxiupei

感觉分开开展相关工作可能比较好
例如信号完整性性分析SI（IBIS模块基本上主流厂家都会提供）--重点对数字电路信号和时序方面，PI针对电源，另外就是Pspice针对基本电路（分立元器件的建模是难点），另外就是射频方面。
另外就是如果产品复杂度不高或者精准度不要求非常高，最坏情况分析方法就足够了。不一定要精准的模型进行大量的仿真。

我觉得仿真真正体现价值是高复杂单板或者成本非常敏感产品，如果能准确的进行容差方面的仿真效果会很好。例如PCB设计中，DRAM信号线之间误差已经严格控制到50mil以内了，再怎么都不会有太大问题。。。但是如果如果单板非常复杂，走线不能保证的情况下，这个时候对仿真模型的准确性和仿真就比较关键了。另外如果单板成本要求敏感，多一颗电容或者少一颗电容，是否需要增加串联电阻等都需要严格理论支持的话，仿真做好了价值就体现的非常好。

lixiong198417

回复5#Jack315
是的，传递函数（模型）的准确程度决定了这个方法的适用性。
您说的通过测量用DOE的方法得到有一定精度的传递函数，给了我启发。我想后续用这个方法做一个闭环的验证。希望能得到一些在特定电路上可套用的传递函数。
非常感谢！

lixiong198417

回复6#yangxiupei
谢谢您的意见。
我的这个容差分析技术文档，其实是有局限性的。名字取大的，但内容只是容差分析中的一小部分。我当初做这个学习研究的目的是想得出一些高精度的模拟量采集电路的容差分析方法。
目前很多公司是将SI、PI与容差分析分开开展工作的（包括我们公司也一样）。但是我曾经看到有文献上提到可以对SI和PI进行容差分析的说法（文献名称不记得了），具体怎么操作没有说明。
如果您在这方面有好的建议，也请您赐教。

wuxianglin2000

无法下载和查看附件！

lixiong198417

元器件最坏情况参数库上传上来了，Minitab软件由于非正版，就不上传了，有需要的请留下邮箱，我发过来。请见谅。