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楼主: gdfrg

如何改善同步整流电路,有人懂这个吗?

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发表于 2012-8-27 14:53:48 | 显示全部楼层
[Snubber]
简易R-CSnubber线路就是用小R-C串联取代D5,目的是抑制因负载变化而在此处(L2)产生的瞬态高压,避免烧毁MOSFET
So一下,网上资讯很多,实际R,C数值须电磁仿真决定,或可询问控制元件原厂,原理图zenerD5是一种缺乏频率分量的取巧,不正确的

[反馈相角]-phasemargin
若是设计未预留足够phasemargin,有些相位补偿RC元件数值(必)有出入,在某频率产生谐震(正回授),就会影响生产良率
R37只是反馈讯号起点,控制元件旁应该有其余RC线路,或是挂在COMP脚上

板子有的是好的...换个温度/湿度就说不准喽...

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 楼主| 发表于 2012-8-27 16:22:18 | 显示全部楼层
lixiong198417发表于2012-8-2712:27
既然有这么多怀疑,建议量一下信号,比如控制信号、输出信号,抓一下Fail波形,应该能更好的做分析。
另外...

坏的波形是抓过只能抓几个控制波形是出了问题了。。但是这个是在CPU已fail的情况下抓的。

也可能是MOS烧毁时将电压引到控制端将控制端烧坏。。当换MOS后错误的信号还是烧moS


不能确定谁先坏就跟鸡蛋和鸡谁先存在一样

D5应该是个肖特基二极管这个都没装的。是个预留东西。
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发表于 2012-8-27 18:46:47 | 显示全部楼层
建议LZ同时抓一下1.2V和(好的)1.8V两路的波形贴出来(包括Q2各引脚和R37压降波形),让坛子里的朋友一起帮你出主意。

注:示波器用公司现有带宽最宽的。
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 楼主| 发表于 2012-8-28 09:36:47 | 显示全部楼层
calabazas发表于2012-8-2714:53
[Snubber]
简易R-CSnubber线路就是用小R-C串联取代D5,目的是抑制因负载变化而在此处(L2)产生的瞬态高压,...

我认真看一下,不过还不一定懂呢L2后端负载确实可能会瞬间变化D5我们公司都没装的。。。

我在认真看一下电路。
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 楼主| 发表于 2012-8-28 09:48:40 | 显示全部楼层
Jack315发表于2012-8-2718:46
建议LZ同时抓一下1.2V和(好的)1.8V两路的波形贴出来(包括Q2各引脚和R37压降波形),让坛子里的朋友一起帮...


1.2V控制信号
蓝色为下MOS(NMOS)黄色为上管(PMOS)下同


1.8V控制信号


1.2V错误控制信号上电后大约10秒后应该是开始带负载的时候然后MOS开始烧毁控制波形出错

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发表于 2012-8-28 13:18:06 | 显示全部楼层
LZ能否进一步提供如下信息:
-示波器的型号
-MOS管的型号(原理图上看不真切)

从波形上看是下MOS管烧了。上MOS管在开关过程中,在下MOS管上产生了较大的(主要是)电压应力。

DC2DC的开关频率为1MHz,下MOS管上的尖峰频率为+25MHz。为观察这个尖峰,示波器的带宽至少要有+250MHz,最好是用Tecktronics的DPO7254C(带宽为2.5GHz)示波器来看。LZ用的示波器貌似不超过100MHz(猜的,呵呵)

怀疑MOS管耐压不够,如果没有条件准确测量上述尖峰,只能先换个耐压大一倍的MOS管试试。
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发表于 2012-8-28 14:03:18 | 显示全部楼层
上管驱动太强悍,在上管开启时,造成下管瞬间也开启,或可在上管驱动线上串一个小R,调整至下管驱动无Spike
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 楼主| 发表于 2012-8-28 14:04:07 | 显示全部楼层
Jack315发表于2012-8-2813:18
LZ能否进一步提供如下信息:
-示波器的型号
-MOS管的型号(原理图上看不真切)

这个是我们自己内部的示波器拍的。没有去公司大实验室去抓波形。

MOS型号为P5803NAG图中上管为PMOS下管为NMOS就是控制整流的。
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 楼主| 发表于 2012-8-28 14:11:08 | 显示全部楼层
calabazas发表于2012-8-2814:03
上管驱动太强悍,在上管开启时,造成下管瞬间也开启,或可在上管驱动线上串一个小R,调整至下管驱动无Spike

下管那个尖刺高度和尖刺的时间不足以开启的。两管在正常的情况下是分时段开启的中间还有个真空带。
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发表于 2012-8-28 14:14:02 | 显示全部楼层
下管选料可用小C(gd)/C(gs)及大Vt的
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