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发表于 2012-8-24 12:01:03
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5 故障模式和机理
1) 导光胶或反射胶工艺控制不佳导致胶开裂、起皮;
2) 光耦内部材料间热膨胀系数不匹配,内部电连接开路;
3) 内部沾污产生腐蚀;
4) 光电转换效率衰减
6 主要参数意义
Parameter参数 参数
输入侧 VF 正向电压
IF 正向电流
VR 反向电压
IR 反向电流
Ct 终端电容
PD 功耗
传输特点 CTR 电流传输比
VCE(sat) 集电极发射极饱和电压
RI-O 隔离电阻
BV 隔离电压
Cf 浮动电容
fc 截止频率
响应时间 tr 上升时间
tf 下降时间
温度范围 Topr 操作温度
Tstg 存储温度
Tsol 焊接温度
7 测试方法
8 测量仪器
半导体特征分析仪、电路特征分析仪或AgilentB1500A半导体器件分析仪。
9 试验项目选择
9.1 温度冲击试验
9.1.2 测试目的:
本试验是用来确定产品在温度冲击应力条件下性能特性的变化状况。
9.1.2 测试条件:
将试验样品置于温度冲击箱内,试验条件:-55℃(30min)~125℃(30min),100个循环;每20个循环(当能比较出不同厂商产品可靠性差异时可停止试验)时测量并记录相应性能参数,如表1。
表1
样品编号 25℃50%RH 20循环 50循环时 100循环
CTR VF CTR VF CTR VF CTR VF
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#10
平均值
标准差
9.2 低温试验
9.2.2 测试目的:
本试验是用来确定产品在低温时电性能状况。
9.2.2 测试条件:
将试验样品置于温度冲击箱内,试验条件:-40℃,48h;试验温度未达到试验温度不计入试验时间,待温度稳定后24h,48h时(当能比较出不同厂商产品可靠性差异时可停止试验)检查它们的某项技术参数。当某项技术参数在THB试验后的测量值与标称值之差越大,表示其产品可靠性越差。如表2记录试验结果:
表2
样品编号 25℃50%RH 24小时 48小时
CTR VF CTR VF CTR VF
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#10
平均值
标准差
9.3 THB试验
9.3.2 测试目的:
本试验是用来确定产品在高温高湿带电情况下产品之可靠性状况。
9.3.2 测试条件:
将试验样品置于温度冲击箱内,THB试验条件为85℃,85%RH,80%的额定电压,1000h。在100h,200h,300h,500h,800h,1000h时(当能比较出不同厂商产品可靠性差异时可停止试验)检查它们的某项技术参数。当某项技术参数在THB试验后的测量值与标称值之差越大,表示其产品可靠性越差。如表3记录试验结果:
表3
样品编号 25℃50%RH 100h 200h 300h 500h 800h 1000h
CTR VF CTR VF CTR VF CTR VF CTR VF CTR VF CTR VF
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#10
平均值
标准差
9.4 主要参数及对应特性值示例
9.4.2 传输比CTR特性
9.4.1.1 CTR与温度特性
9.4.1.2 CTR与时间特性
9.4.2 发光二极管光衰与温度及时间特性
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