ipfa2013培训讲座

zhouyuanhua

教程安排
Date/Time        Morning(9:00am-12:00noon)        Afternoon(2:00pm-5:00pm)
15July2013
(Monday)        讲座1：失效分析：最佳实践、挑战和趋势Dr.PhillippePerdu,CNES,France        讲座2：在高介电常数介质/金属堆栈中的介电击穿：用纳米技术研究击穿所诱导的形态变化和缺陷
Prof.Kin-LeongPey,SUTD,Singapore
16July2013(Tuesday)        讲座3：MOS器件的辐射响应和长期可靠性Prof.DanielM.Fleetwood, IEEEfellow,VanderbiltUniversity,USA        讲座4：先进器件的可靠性：从确定性的失效机理到时间有关的变化无常Prof.GuidoGroeseneken, IMEC,Belgium


讲座1：15thJulyMorning

ByDr.PhillippePerdu,CNES,France
PhilippePerduistheSeniorExpertinmicroelectronicsatCNES.HehasledtheVLSIFailureAnalysisCNESlaboratorysince1988.Hismainactivityistodeveloptechniquesandtoadapttoolsforanalysisofelectroniccomponentsdedicatedtospaceapplications.Themaintargetisfaultisolation/defectlocalization.

主题：失效分析：最佳实践、挑战和趋势

文摘：不同于各种技术的一个整合，本教程将特别注重最佳实践：从工艺伊始—驱动失效分析的特定目的—到对缺陷定位，包括为芯片评估而进行的样品制备。即使物理分析有所涉及，将不会对非常大量的现有技术进行详细讨论。一些经验法则将被描述和解释：如何选择正确的缺陷定位工具，如何使失效分析适应于正确的目标.......经验法则应该是帮助失效分析师完成任务、正确设置失效分析的流程、与正确的人进行互动并提出纠正性的措施的规则。具体的挑战和趋势都将被预览和综述。它主要涉及光学分辨率更小的纳米结构所带来的问题和由3D器件所带来的新挑战。


讲座2：15thJulyAfternoon

ByProf.Kin-LeongPey,SUTD,Singapore
Prof.Kin-LeongPEYisanAssociateProvostoftheSingaporeUniversityofTechnologyandDesign(SUTD).HehasheldvariousresearchpositionsintheInstituteofMicroelectronics,CharteredSemiconductorManufacturing,AgilentTechnologies,andNationalUniversityofSingapore.

主题:在高介电常数介质/金属堆栈中的介电击穿：用纳米技术研究击穿所诱导的形态变化和缺陷

文摘：在对高k栅介质/金属堆栈击穿进行的纳米物理分析中发现，在高k栅介质中的微结构缺陷和介电击穿引起的损伤非常不同于传统的SiOxNy/多晶硅栅堆栈。用透射电子显微镜(TEM)进行的化学分析和用扫描隧道显微镜进行的电分析，提供了关于击穿诱导缺陷的性质和演化的有效信息，也提供了负责金属氧化物半导体场效应晶体管介质击穿的材料微观结构的作用的有效信息。结合电分析，在纳米尺度上对各种栅介质材料微观结构和材料变化的分析已经建立。本教程还将公布最新的TEM研究：通过在TEM中的原位STM探针对高k栅介质的诱导击穿进行实时观察。微结构变化诱导击穿对介质的击穿和恢复的影响和作用被验证。新的击穿和恢复机理对高k栅介质/金属堆栈的性能和可靠性的影响被讨论。


讲座3：16thJulyMorning

ByProf.DanielM.Fleetwood, IEEEfellow,VanderbiltUniversity,USA
DanielM.FleetwoodreceivedhisB.S.,M.S.,andPh.D.degreesinPhysicsfromPurdueUniversity.DanFleetwood’sresearchactivitiesfocusontheeffectsofradiationonandlong-termreliabilityofmicroelectronicmaterialsanddevices.HehasworkedprimarilyintheareasoftotalionizingdoseeffectsonSi-basedMOSandbipolardevicesandintegratedcircuits,low-frequencynoise,thermallystimulatedcurrent,anddefectsinmicroelectronicdevicesandmaterials.

主题：MOS器件的辐射响应和长期可靠性

文摘：本教程将讨论MOS器件在空间和地面环境中的辐射响应和MOS集成电路的长期可靠性。辐射响应的讨论将强调单一粒子的相互作用和总电离剂量效应。将对那些可能导致在高度按比例缩小的MOS器件中的单个和多个位软错误的因素进行阐述。长期可靠性的讨论将主要集中在由长期电应力造成的半导体/绝缘体界面的缺陷(如负偏温度不稳定性和热载流子效应)和单事件硬错误(如栓锁效应)方面。本教程将包括一个关于评估和保证MOS辐射容错在实用性和成本效益方式的讨论，也包括辐射和高场应力结合所带来的影响。


讲座4：16thJulyAfternoon

ByProf.GuidoGroeseneken, IMEC,Belgium
Dr.GuidoGroeseneken receivedtheM.S.degreeinelectricalengineering(1980)andthePh.Ddegreeinappliedsciences(1986),bothfromtheKULeuven,Belgium.Hehasmadecontributionstothefieldsofnon-volatilesemiconductormemorydevicesandtechnology,reliabilityphysicsofVLSI-technology,hotcarriereffectsinMOSFET's,time-dependentdielectricbreakdownofoxides,Negative-Bias-TemperatureInstabilityeffects,ESD-protectionand–testing,etc.

主题：先进器件的可靠性：从确定性的失效机理到时间有关的可变性
文摘：本教程将对与先进CMOS器件相关的可靠性和失效机理进行探讨和解释。本教程将主要集中在两个失效机理：时间有关的介质击穿和偏置温度不稳定性。这两个失效机理的基础将被解释。提取预测器件寿命的表征方法和数据分析方法，以及引入high-k栅介质、金属栅和像锗硅一样的替代沟道材料的影响将被讨论。最后，将讨论从一个确定的到更随机的失效机理行为的改变所导致的所谓时间有关的变异行为；它强调需要替代的可靠性评估方法，如感知可靠性设计方法。




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YoumayalsocontactMissCicelyLiatTel:(+86)512–67870201or(+86)13390849832orEmail:ipfa@hhcore.com
IPFA2013第20届IEEE国际集成电路物理与失效分析会议
　　　　　　　　　　　　　　　　　　
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        培训讲座注册费
有15-16号两天的讲座，以下费用为两天的讲座费用（四个课题）----包含两顿午餐，茶歇和一套教材，如果只参加一天则费用相应减半。                研讨会注册费
包含17-19号共三天的午餐和茶歇，一张晚宴餐券，内装论文集的U盘一只。
        2013年5月30日之前        2013年5月30日之后        2013年6月30日或之后                2013年5月30日之前        2013年5月30日之后        2013年6月30日或之后
IEEE会员        CNY2,400.00        CNY2,600.00        CNY2,800.00                CNY2,700.00        CNY2,900.00        CNY3,200.00
非会员        CNY2,600.00        CNY2,800.00        CNY3,000.00                CNY3,000.00        CNY3,200.00        CNY3,400.00
在校学生        CNY1,600.00        CNY1,800.00        CNY2,000.00                CNY2,200.00        CNY2,400.00        CNY2,600.00
终生会员        CNY1,600.00        CNY1,800.00        CNY2,000.00                CNY2,200.00        CNY2,400.00        CNY2,600.00


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*以寄信日期，发送邮件或传真日期为准。对于外地与会者如果需要预订酒店，请联系IPFA2013组委会秘书处(联系方式见上）或登录网站自行预定。


请注意：(请写清楚，一个人一张表格)。
姓名(教授/先生/女士/小姐)————————————————————————————————————
职位:_________________________单位/公司/学校:_______________________________________________通讯地址:__________________________________________________________
省市:__________________电话:_________________传真:__________________邮箱:__________________________
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讲座注册细则
讲座注册：(1)1天（2）2天                        CNY:____________


Date/Time        Tutorialtopic        TutorialLecturer        Venue
15thJuly2013
(Monday)
9:00am-12:00noon        讲座1：失效分析：最佳实践、挑战和趋势        Dr.PhillippePerdu,CNES,France        LectureHall
15thJuly2013
(Monday)
2:00pm-5:00pm        讲座2：在高介电常数介质/金属堆栈中的介电击穿：用纳米技术研究击穿所诱导的形态变化和缺陷
        Prof.Kin-LeongPey,SUTD,Singapore        LectureHall
16thJuly2013
(Tuesday)
9:00am-12:00noon        讲座3：MOS器件的辐射响应和长期可靠性        Prof.DanielM.Fleetwood, IEEEfellow,VanderbiltUniversity,USA        LectureHall
16thJuly2013
(Tuesday)
2:00pm-5:00pm        讲座4：先进器件的可靠性：从确定性的失效机理到时间有关的变化无常        Prof.GuidoGroeseneken, IMEC,Belgium        LectureHall


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zhouyuanhua

giant110

meishijiancanjia

admin

giant110发表于2013-4-2122:06
meishijiancanjia

好牛的英语。。