CRAM可靠度预估技术-PRISM的前身
美国可靠度分析中心(ReliabilityAnalysisCenter,RAC)研究员DensonandKeene[1998]与Densonetal.[1998]基于MIL-HDBK-217可靠度预估模方法仅考虑产品本身固有的失效因素而未考量产品以外的因素,且自1995年后MIL-HDBK-217资料库因为配合美国国防部Dr.Perry部长的军规减肥计划不再进行更新工作,就其工作经验提出新一代的电子产品可靠度预估方式,称为CRAM方式(ConsolidatedReliabilityAssessmentModel),以解决目前电子产品在可靠度预估方面的问题。
CRAM可靠度预估方式包含两部份:
(1)将产品发展过程分为系统管理、元件品质、设计、制造等四个过程因子,以权重平均方式将过程因子量化,作为初始可靠度预估的基础。
(2)将发展过程中所有可靠度资料整合至CRAM系统,并将调查所得的过程因子权重资料,运用贝氏估计方法,计算电子产品的可靠度预估值。
CRAM可靠度预估方法论考虑多种非元件本身的失效因素,包括诱发性失效因子(InducedFactor)与无缺点失效因子(NoDefectFound);由于软件在电子产品使用过程中扮演驱动的角色,其重要性不可或缺,故软件失效率lSW亦被加入CRAM方式。另外,CRAM方式亦包括产品使用过程产生的磨耗或老化所造成的失效率lW。CRAM失效率预估方式包含固有(Inherent)失效率以及后勤(Logistic)失效率两种方式:
(1)固有失效率方式:
lP=lIA(ΠS+ΠD+ΠP+ΠM)+λSW+λW(1)
(2)后勤失效率方式:
λP=λIA(ΠS+ΠD+ΠP+ΠM+ΠI+ΠN)+λSW+λW(2)
其中,λP为系统的预估可靠度;λIA为初始评估失效率(依据RACRate、MIL-HDBK-217、Bellcore或NPRD-3等资料库的零件失效率计算得到);PS为系统过程因子;PD为设计过程因子;Pp为零件(元件)因子;PM为制造过程因子;PI为诱发性失效因子;PN为无缺点失效因子。λSW为软件失效率,λW为磨耗失效率。 |