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[p=25,null,left]先进制程的开发是否到位,材料的结构与元素分析能力往往是关键,尤其当制程进入28纳米以下世代,纳米元件尺寸不断微缩,各端连接线结构极为细致,在此细微结构下,往往会因材料表面与微结构的污染或缺陷,使得其物性、电性及化性起变化,干扰原先产品的设计与特性。[p=25,null,left]然而许多传统分析方法,并不能有效的解决先进制程材料所带来的失效问题。此时可达原子级解析度、且兼具化学成分分析功能的穿透式电子显微镜(TEM),将是分析上的唯一解決方案。[p=25,null,left]TEM除了可应用在半导体先进制程材料分析外,在LED产业亦扮演重要角色。决定LED发光特性最关键的磊晶制程,就必须高度仰赖TEM来控制制程参数。然而TEM的原理及操作模式相当复杂,分析时往往令非本行业出身的人员感到头痛,透过本次研讨会专家的解说,期望让与会来宾与业界精英能从中学习到:[p=25,null,left]如何更加正确地理解TEM原理,解读TEM数据?[p=25,null,left]如何更加有效地利用TEM/STEM分析,来解决材料或制程上的问题?时间 | 內容 | 主讲人 | 13:00-13:30 | 报到 | 13:30-14:40 | TEM基本原理介紹
TEM基本功能介绍与数据解读
TEM主要应用模式介绍 | iST宜特科技材料分析工程部经理
陈聲宇博士 | 14:40-15:00 | 中场休息 | 15:00-16:10 | 新颖TEM应用与案例解析
先进半导体制程与结构分析
三五族半导体(LED,砷化镓)分析
逆向工程分析 | iST宜特科技材料分析工程部经理
陈聲宇博士 | 16:10-16:30 | Q&A |
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讲师简介
陈聲宇博士
 | 现任职: | iST宜特科技材料分析工程部经理 |  | 经历: | 毕业于国立清华大学,曾任职于台积电(TSMC)研究发展处,现为宜特科技材料分析工程部经理,从事TEM相关研究超过7年,论文发表遍及《ACSnano》及《Nanoletter》等知名国际期刊。 |
报名信息 |  | 参加对象: | 半导体厂RD/PE/FA/QA人员、IC设计公司FA或逆向工程人员、LED磊晶或模组厂人员 |
|  | |  | 研讨会地点: | 上海博雅酒店(上海市浦东新区碧波路699号) |
|  | |  | |  | 参加费用: | 即日起额满为止,欲报从速。(一间公司限2名,报名成功确认以主办单位回复为主) |
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注意事项 |  | 主办单位保留报名资格之最后审核权利,并于活动前一周以E-mail寄发「课前通知」,以示您的参加资格。请于活动开始前进行报到。 |  | 未能准时报到或当天无法出席的学员,恕无法为您保留讲义与座位。 |  | 若因不可预测的突发因素,主办单位保留变更论坛时间、议程内容及相关事项之权利。 |  | 现场报名的学员,主办单位视现场状况保有开放进场与否之权利。 |
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主办单位: |  |
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