可靠性定量评价之建模（二）

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电子元器件可靠性模型基础理论相对成熟，因电子元器件大部分是靠电子和空穴的相对运动相互复合的过程，而该过程受温度影响较大，温度越高相对电子运动速度越快，因此大部分的电子元器件可靠性模型均以Arrhenius模型为基础再结合器件本身特性来建立精确的可靠性模型，如MOS管的门槛电压可靠性模型：

Vth=∫A*f(t)*f(Vg)*exp(-Ea/kT)dt

该模型是不是和Arrhenius模型比较像？

同理，部件级的IGBT的可靠性模型，可基于各个组成元器件进行数据化精准建模

系统级的可靠性模型相对复杂，一般工程使用时做一定的假设条件：

随着当前较热门的bigdata技术的兴起和深入应用，智能化实时建模将成为可靠性建模的方向之一。

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