IC可靠性，系统可靠性分析

huangdongcan · 发表于 2016-7-4 09:23:45

感谢分享！

海底的鱼 · 发表于 2016-11-12 16:07:10

谢谢楼主分享

小勺 · 发表于 2016-12-5 00:39:48

这个都比较老了

aitaitait · 发表于 2017-2-17 14:32:55

谢谢。

yeh · 发表于 2017-2-20 08:43:48

评估非挥发性memory器件在多次读写算后的持久性能
TestMethod:将数据写入memory的存储单元，在擦除数据，重复这个过程多次
测试条件:室温，或者更高，每个数据的读写次数达到100k~1000k
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准
MIT-STD-883EMethod1033
数据保持力测试（DataRetentionTest）
目的:在重复读写之后加速非挥发性memory器件存储节点的电荷损失
测试条件:在高温条件下将数据写入memory存储单元后，多次读取验证单元中的数据
失效机制：150℃具体的测试条件和估算结果可参考以下标准：
MIT-STD-883EMethod1008.2
MIT-STD-883EMethod1033

xin · 发表于 2017-2-21 11:14:48

谢谢分享

Sunny_PqKkD · 发表于 2017-3-10 16:48:14

很好的资料！谢谢！

505928532 · 发表于 2017-3-26 13:19:20

看看看安康

allan187 · 发表于 2017-9-27 08:28:10

现在做Reliability，但还要给客户做各国论证，看那么多标准！哎

徐海东 · 发表于 2017-10-7 14:03:23

谢谢分享

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