请教mos管HTGB试验条件

dalaohu

参照GJB标准，我司对生产的mos产品进行HTRB和HTGB老化试验。
我司在做HTRB时用的方法是，栅源极(GS)短接，漏源极(DS)加80%反偏电压。
在做HTGB时我们的设计是栅源极(GS)加80%栅反偏电压，漏极(D)开路。这里就是我们困惑的地方，因为按照GJB的要求在HTRB试验中是明确告知了栅源极(GS)短路。而在HTGB试验中既没有说漏源极(DS)短路，也没有说不短路。我们的工程人员分析如果漏源极(DS)不短路的话很容易造成产品失效，但是鉴于HTRB中明确要求栅源极(GS)短路，而HTGB中未要求，我们暂时按漏极(D)开路设计HTGB试验。希望大家给点建议，特别是有那个标准中明确规定了HTGB的试验电路图的请发给我一下，万分感谢！！！
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