请问：极限工作温度的定义

feng841210 · 发表于 2009-4-27 14:52:13

我想给MOS管施加直流满功率，又不想加附加散热条件，使其结温接近极限温度(175℃)，怎样才能实现呢
把直流改为具有一定占空比的脉冲，行不

feng841210 · 发表于 2009-4-27 14:54:41

因为该MOS的热阻比标称值大得多，按器件datasheet的额定功率，器件的沟道温度肯定会超出175℃

justinbk · 发表于 2009-4-28 16:02:55

一般对于一个成熟工艺的器件（我这里主要指IC类），寿命一般很长，远比设备产品的使用寿命长很多，我们一般认为，正常情况下（通常指常温，二三十度的样子，没有异常电骚扰等）的集成电路使用寿命是可以不需要考虑的，因为在绝大部分电子设备中，IC的寿命是器件中可靠度最高，寿命最长的。我这里说那么多，就是强调一点，一般民用的通用成熟IC寿命会长到你难以想象，保守点说工作几十年是不会有问题的。所以，即使你做加速试验，加速系数做到常温的64倍，也可以工作很久，当然，这里必须明白做过这种加速老化试验的IC是不能再使用到产品上正常使用的，因为其寿命已经大大缩短，具体缩短多少看试验时间长短而定。
但就像我前面提到的，只要你的工作温度在规定的范围之内（比如85℃壳温，我前面提到，这个温度其实厂家已经做过降额，有些是90%，有些是80%，不同器件不一样），器件的有效寿命还是会比较长，我想比我们一般的民用设备寿命都要长，因此不需要担心。但若工作在真正的极限温度下（最高结温，比如125℃或150℃），那么器件的有效寿命会大大缩短，可能会出现比产品期望寿命短的情况，这种情况我们在设计的时候是肯定、必须避免的！
不知道上面已经说清楚了没有，没关系，没说清楚我再解释。

justinbk · 发表于 2009-4-28 16:13:25

原帖由feng841210于2009-4-2714:52发表
我想给MOS管施加直流满功率，又不想加附加散热条件，使其结温接近极限温度(175℃)，怎样才能实现呢
把直流改为具有一定占空比的脉冲，行不

我不知道你这么做的目的是什么，但是器件的极限结温是很难掌控的，因为要达到这个最高结温首先遇到的难题就是测量的问题？你如何测试得到器件内部的最高结温呢？热红外显微镜可以实现，但也有一个精度和误差问题。这个设备我不知道有多少实验室配备了，我想应该不会太多吧。
解决了测量温度的问题然后直接要面对的就是功率控制和散热控制的问题，MOS管加热非常容易，加上负载就ok了，但是要把结温控制得起到好处，不仅要设计一个能够自动检测温度和功率的设备，还有能够自动调节MOS散热的装置，否则你一旦加上电，电流太大，功率控制不了，一下子超过最好结温，管子很快就会烧掉，这种情况是非常常见的，特别是在开机瞬间。所以，你所设想的装置在我看来想要实现绝非易事。
即使使用脉宽调制来控制功率同样会面对温度测量、功率控制、散热控制三者的调谐问题，三者协调好了，才能达到你的设想。
即使你不考虑散热问题简化试验，仅仅依靠温度测试和功率控制，因为MOS管的功率通常都比较大，你想要的温度又是在最高结温附近，若没有设计好相应的保护装置，也极容易导致MOS因为功率过高而烧毁。

justinbk · 发表于 2009-4-28 16:15:53

原帖由feng841210于2009-4-2714:54发表
因为该MOS的热阻比标称值大得多，按器件datasheet的额定功率，器件的沟道温度肯定会超出175℃

一般datasheet上标的都是最大热阻，根据我的经验这个值确实比一般实际测量值要大，不过有些也标了典型值，通常按照典型值就够了，因为MOS管在具体使用的时候肯定是要做降额设计的，所以这样综合一来，器件还是工作在安全区，不会有烧毁问题。但你若是要做研究，那我建议你可以专门的去测量一下器件的热阻和实际功率，甚至沟道电阻等等，那都是有必要了，就看你的目的是什么。

murenlijun · 发表于 2009-4-29 13:49:18

分工作极限和失效极限吧？

justinbk · 发表于 2009-4-29 21:40:06

原帖由murenlijun于2009-4-2913:49发表
分工作极限和失效极限吧？

我想你指的应该是工作极限和破坏极限。

aries · 发表于 2009-4-30 10:12:23

原帖由murenlijun于2009-4-2913:49发表
分工作极限和失效极限吧？

不知道你说的是不是halt/hass中的那个极限
那里的那个极限和这位兄台讲的极限是不一样的

楼主说的极限是spec规定的使用温度范围....

bradley · 发表于 2009-4-30 11:33:19

对，我想知道的是，定义这个极限温度，比如85度，是依据什么来得到的
是不是这个温度下，失效率会达到某个值，比如10%之类的

bradley · 发表于 2009-4-30 11:41:58

原帖由justinbk于2009-4-2816:02发表
一般对于一个成熟工艺的器件（我这里主要指IC类），寿命一般很长，远比设备产品的使用寿命长很多，我们一般认为，正常情况下（通常指常温，二三十度的样子，没有异常电骚扰等）的集成电路使用寿命是可以不需要考虑的...

我做加速老化的目的，其实是想渡过澡盆曲线的第一段，筛选一下，让某些存在可靠性隐患的器件早点暴露出问题。这种目的是不是不应该做这种极限温度下的老化呢？
因为我们每批的产品数量比较少，所以想尽量提高加速的倍数，缩短老化时间，所以才会想到在极限温度下进行老化。

我们做的是工业产品，经常会在相对高温的情况下工作（内部有功率器件，自身发热），可能内部会达到50度以上。

大概的意思已经明白了，非常感谢！！

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