找回密码
 -注 册-
搜索
热搜: MTBF GJB MIL FMEA
查看: 3516|回复: 6

EOS模拟试验

 火... [复制链接]
发表于 2010-1-27 14:16:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
公司有款产品在设计过程中有人提出对EOS进行一定的模拟,来提高抗EOS的能力。
如果是ESD我倒会做,但是EOS确实不知道。
产品介绍:是个TRANSCEIVER,有管脚的,需要对信号管脚和供电管脚进行EOS模拟
我现在看到一个标准时GB/T17626.4-1998电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验,不知道适不使用,那位达人指导一下,谢谢!
发表于 2010-1-27 22:29:45 | 显示全部楼层
EOS是啥?过电应力,一般就是过压或是过流,造成IC烧坏.大都IC厂商做分析时都是这个结论,除非你自己有能力分析,或是舍得烧银子请第三方机构分析.否则还是只能接受现实.

电快速脉冲群不适用的,再考虑一下吧.
回复

使用道具 举报

发表于 2010-1-28 00:13:25 | 显示全部楼层
估计要把EOS的全名弄清楚,才好理解。。
回复

使用道具 举报

 楼主| 发表于 2010-1-28 14:05:54 | 显示全部楼层
我今天又看了一下ADI对于EOS(Electricaloverstress)的说明:
EOScoversabroadspectrumofevents,includingelectrostaticdischarge(ESD),latch-up,power-up/power-downtransients,andexcessiveDCcurrent/voltagelevels.ESDistypicallythemostcommonformofEOS,andconsequentlyitisthefocusofmuchofthischapter.
因为我们的产品对于芯片来说属于设备级,那么将EOS简单理解为ESD。对产品进行ESD阈值试验,可否?
回复

使用道具 举报

发表于 2010-1-28 15:29:30 | 显示全部楼层
TRANSCEIVER不懂是啥,是类似激光器方面的么?
回复

使用道具 举报

发表于 2010-1-28 17:05:14 | 显示全部楼层
EOS試過電壓或過電流造成的破壞,一般是在輸入端=>就IC解析燒毀現象會較明顯
ESD為靜電破壞再任何一支PIN腳皆會發生=>就IC解析燒毀現象為不明顯穿孔現象
EOS可以在輸入端加大電壓或電流去試試

不知這說明是否合理
回复

使用道具 举报

 楼主| 发表于 2010-2-2 14:08:54 | 显示全部楼层
TRANSCEIVER是光收发合一模块,激光器发光,接收器收光
EOS是在输入端加入大电压或电流,但是相对正常电压增加多少才合适...
这个才是最重要的地方。
回复

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | -注 册-

本版积分规则

QQ|Archiver|手机版|小黑屋|可靠性网 ( 粤ICP备14066057号 )

GMT+8, 2025-4-20 19:18

Powered by Discuz! X3.5

© 2001-2023 Discuz! Team.

快速回复 返回顶部 返回列表