加速寿命测试时间的推算

yeh

贊同"ALT"發表的見解,溫濕度加速壽命試驗採用"Admin"整理的"AF=(RHt/Rhu)^3*exp[(Ea/k)*(1/Tu-1/Tt)]"温度-湿度效应Hallberg-peck模式比較適當.

ALT

原帖由yeh于2008-8-3021:33发表
贊同"ALT"發表的見解,溫濕度加速壽命試驗採用"Admin"整理的"AF=(RHt/Rhu)^3*exp[(Ea/k)*(1/Tu-1/Tt)]"温度-湿度效应Hallberg-peck模式比較適當.

不过老实说，我根本就不信这些模型和公式。他们的作用只有一个，那就是参考。根据自己的产品，应该需要一套自己的模型。哪有全天下温度和寿命的关系都是Arrhenius的可能。我手上做过的产品，除了控制器，多多少少都带有一定程度的非线性关系。

greenapple

向版主学习啊！

johann

AF=AF=exp{(Ea/k)*[(1/Tu)-(1/Ts)]+(RHu^n-RHs^n)}=exp{(0.8*10^5/8.6)[(1/298)-(1/383)]+(0.75^2-0.85^2)}=869
AF=(RHt/Rhu)^3*exp[(Ea/k)*(1/Tu-1/Tt)==(0.85/0.75)^3*EXP((0.8*10^5/8.6)*(1/298-1/383))=1485，两者算出来的差值很大哦
而且AF=exp{(0.8*10^5/8.6)[(1/298)-(1/383)]+(0.75^2-0.85^2)}中加速湿度越大，加速因子越小为什么？求解答

其中Ea为启动能(eV),k为玻尔孳曼常数且k=8.6*10E-5eV/K.T为绝对温度.RH为相对湿度(单位%).下标u指常态.下标s指加速状态(如Rhu^n指常态下相对湿度的n次方)，一般情况下n取2.

admin

上面的两个计算差值肯定很大，因为两个加速的模型都不一样。
1、温度-湿度效应Hallberg-peck
AF=(RHt/Rhu)^3*exp[(Ea/k)*(1/Tu-1/Tt)]
2、温度效应ArrheniusModel（上列中用的是此式扩展版，外加了湿度的计算）
AF=exp{(Ea/k)*[(1/Tu)-(1/Ts)]}

这两个模型介绍，可以参考一下：http://www.kekaoxing.com/club/thread-3897-1-2.html

johann

模型是两个，是否可以这样理解前者针对温湿度考虑的，后者是针对（或者说主要针对）温度因子考虑的
但为什么温度效应ArrheniusModel中加入湿度因子后是降低加速因子呢？这和实际好像似乎不符啊！

laichaozhong

很收益，我正学习MTBF的计算。

armedTiger

一般通讯产品其工作环境的要求是-10到50度，一般这已经是比较高的指标了。如果把环境温度加到110度，此时机箱内的温度估计就130度了，而一般芯片的表面温度估计就得有140度了，芯片的节温就更高了，我想这属于破坏性测试了，这样的测试具有实际意义么？我们如何得知在不符合芯片的工作温度的环境下其失效曲线是怎样的呢？？没有这个曲线如何推算正常的工作寿命呢？？

kevint

這分資料實在太寶貴了,
給了我不少啟發.
非常感謝分享好用資訊~

zhangxw

环境温度加到110度目的是起加速作用，肯定不是在这个温度下用